阐述了高压Trench IGBT结构设计、工艺设计。文中先提出了高压1 200 V的Trench IGBT器件的结构模型;然后仿真其电性能，根据仿真的结果;设计出高压Trench NPT IGBT
2020-03-17 16:06
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-10 09:31 编辑 英飞凌IKW系列 IGBT采用TrenchStop™和Fieldstop技术，可提供卓越的开关性能，极低的VCEsat和低EMI，是不间断电源应用的理想选择，也可用于太阳能逆变器应用。 IKW15N120H3，IKW30N60H3 IGBT均为高速DuoPack的一部分，并配有快速恢复的反并联二极管。推荐产品：IKW30N60H3；IKW15N120H3Infineon 其它相关产品请 点击此处 前往了解特性：一流的开关性能：可实现低于500μJ的总开关损耗最高结温：175°C包装类型：PG-TO247-3符合JEDEC对目标应用的要求无铅镀铅; 符合RoHS标准应用：不间断电源；焊接转换器；具有高开关频率的转换器封装图：`
2019-06-10 09:23
捷捷南通科技是捷捷微电子旗下的子公司，它最近宣布，从2024年1月15日起，将提高其Trench MOS产品线的价格，上调幅度为5%至10%。此举是为了应对当前市场环境和公司运营成本的压力。
2024-01-17 16:44
本文基于仿真和实验方法，开展了 100VN 沟槽 MOSFET 的设计研究工作。通过沟槽深度，体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏，获得了对击穿电压，阈值电压和导通电阻的影响规律并对机理进行了分析，仿真工具同时描述了器件内部的电流路径和碰撞电离率分布。随着沟槽深度增加击穿电压先升后降，导通电阻则表现为相反趋势;击穿电压与注入剂量具有弱相关性，阈值电压随注入剂量增加而升高;击穿电压随着栅氧化层厚度增加整体表现上升趋势，但变化幅度不大，阈值电压与厚度变化表现出强相关性。通过逐步优化获得了最终结构和工艺参数为沟槽深度 1.5μm，体区注入剂量1.3E13，栅氧化层厚度 700A，通过流片获得器件最终电性参数为击穿电压为 105.6V，阈值电压 2.67V，导通电阻 3.12mR，相较于仿真参数分别有 98%，94%和 75%的变化率，研究过程中相关参数设计及
2022-10-08 09:48
80V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功
2010-02-09 09:26
，IGBT、超结MOSFET等中高压产品也受到了更多关注，不过面对第三代半导体在新能源领域的强势冲击，未来增速面临放缓迹象。 然而在低压领域的硅基MOSFET市场，SGT MOSFET正在获得快速增长。SGT MOSFET在性能上带来了新的升级，并逐步取代传统的Trench（
2024-08-02 00:13
华润上华已开发完成1200V Trench NPT IGBT(沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管)工艺平台，各项参数均达到设计要求，成功进入Trench IGBT代工市场。
2011-03-31 09:23
上海雷卯电子有Trench工艺和平面工艺MOSFET，为什么有时候推荐平面工艺MOSFET呢，有时候推荐用Trench工艺MOSFET, 上海雷卯EMC小哥简单介绍如下。
2023-09-27 09:27
