上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41
瑞萨电子开发第三代车载SJ-MOSFET，计划1～2年内开始量产。该器件降低了导通电阻和EMI（电磁噪声）...
2013-05-31 09:22
安森德历经多年的技术积累，攻克了多层外延超结（SJ）MOSFET技术，成功研发出具备自主知识产权的超结（SJ）MOSFET系列产品
2023-06-02 10:23
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET（以下简称“
2023-02-10 09:41
【科普小贴士】MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
2023-12-13 14:16
近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-
2023-02-08 13:43
相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12
012年功率电子一片惨淡，IGBT的营收下跌20~25%，但同时SJ MOSFET却增长8.3%，Yole Developpement预估涨势将会一路持续至2018年，并超越10亿美元大关
2013-02-27 10:03
ROHM独有的超级结MOSFET产品PrestoMOS，运用ROHM独创的Lifetime控制技术优势，实现了极快*的反向恢复时间（trr），非常有助于降低空调和逆变器等应用稳定运行时的功耗，因而已经作为IGBT的替代品受到高度好评。
2023-02-09 10:19
超结（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来，在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件，我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。
2023-06-08 09:33
