上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41
晶圆工艺: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺 ，更少的光罩层数，生产周期更短，更具成本优势 低内阻: 特殊的超结结构让高压超结MOS内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1/3-1/5 更高效率: 较高的轻载，满载效率，超低的导通内阻，有效的降低导通、开关损耗 低温升: 较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命 易用性: 使用过程中简单易用，驱动电流需求小，对新一代高速开关电源提供有力的支持 应用范围广: 适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器及智能手机、平板电脑充电器中，以及大功率充 电桩， LED电源、通讯、服务器电源等
2025-12-02 08:02
晶圆工艺:采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺 ，更少的光罩层数，生产周期更短，更具成本优势 低内阻:特殊的超结结构让高压超结MOS内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1/3-1/5 更高效率:较高的轻载，满载效率，超低的导通内阻，有效的降低导通、开关损耗 低温升:较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命 易用性:使用过程中简单易用，驱动电流需求小，对新一代高速开关电源提供有力的支持 应用范围广:适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器及智能手机、平板电脑充电器中， 以及大功率充 电桩， LED电源、通讯、服务器电源等
2025-11-28 07:35
瑞萨电子开发第三代车载SJ-MOSFET，计划1～2年内开始量产。该器件降低了导通电阻和EMI（电磁噪声）...
2013-05-31 09:22
ROHM独有的超级结MOSFET产品PrestoMOS，运用ROHM独创的Lifetime控制技术优势，实现了极快*的反向恢复时间（trr），非常有助于降低空调和逆变器等应用稳定运行时的功耗，因而已经作为IGBT的替代品受到高度好评。
2023-02-09 10:19
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET（以下简称“
2018-12-03 14:27
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。本章将以SJ-MOSFET的trr速度更高的PrestoMOS™的两个
2018-11-28 14:27
近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-
2023-02-08 13:43
说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“
2018-11-30 11:35
相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12
