上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET（以下简称“
2018-12-03 14:27
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。本章将以SJ-MOSFET的trr速度更高的PrestoMOS™的两个
2018-11-28 14:27
首先，重新整理一下SJ MOSFET做出贡献的课题。第一个是效率改善，第二个是小型化－ 那么先从效率开始谈。为什么使用SJ-MOSFET可以改善效率？先稍微介绍一下SJ
2019-04-29 01:41
说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“
2018-11-30 11:35
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-04-09 04:58
情况下，SiC可以得到标准化导通电阻（单位面积导通电阻）更低的器件。例如900V时，SiC-MOSFET的芯片尺寸只需要Si-MOSFET的35分之1、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同
2019-05-07 06:21
、SJ-MOSFET的10分之1，就可以实现相同的导通电阻。 不仅能够以小封装实现低导通电阻，而且能够使门极电荷量Qg、结电容也变小。 SJ-MOSFET只有900V的产品，但是SiC却能够以很低
2023-02-07 16:40
晶圆工艺: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺 ，更少的光罩层数，生产周期更短，更具成本优势 低内阻: 特殊的超结结构让高压超结MOS内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1/3-1/5 更高效率: 较高的轻载，满载效率，超低的导通内阻，有效的降低导通、开关损耗 低温升: 较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命 易用性: 使用过程中简单易用，驱动电流需求小，对新一代高速开关电源提供有力的支持 应用范围广: 适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器及智能手机、平板电脑充电器中，以及大功率充 电桩， LED电源、通讯、服务器电源等
2025-12-02 08:02
晶圆工艺:采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超结工艺 ，更少的光罩层数，生产周期更短，更具成本优势 低内阻:特殊的超结结构让高压超结MOS内阻在同样面积情况下降低到VDMOS的1/3-1/5 更高效率:较高的轻载，满载效率，超低的导通内阻，有效的降低导通、开关损耗 低温升:较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命 易用性:使用过程中简单易用，驱动电流需求小，对新一代高速开关电源提供有力的支持 应用范围广:适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器及智能手机、平板电脑充电器中， 以及大功率充 电桩， LED电源、通讯、服务器电源等
2025-11-28 07:35
高速公路服务区的重要基础设施，确保电动汽车在日常驾驶和长途旅行中有地方充电。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列产品，通过优化器件结构设计，采用先进的工艺制造技术，进一步提高了产品性能，具有
2023-06-13 16:30
