开关速度是个涉及多个事件的复杂参数，每个事件都有自己的持续时间。借助已申请专利的pHEMT技术，M/A-COM Technology Solutions公司(下文简称为M/A-COM)已经找到了一种
2019-08-20 07:17
目前用到一款有源倍频器HMC368，pHEMT的MMIC，其中pin21和23为Vg1和Vg2，也就是pHEMT的栅压，我看到数据手册上要求的Vg口供电为负压，-2~0V，这个栅压应该是影响漏电
2018-08-23 19:40
低噪声、高线性度和无条件稳定性等关键要求。为此，Skyworks使用 0.5 微米增强型pHEMT（即E-pHEMT） 技术开发了新的低噪声放大器 (LNA) 系列。覆盖 0.7–1.0 GHz
2019-06-26 07:38
砷化镓晶圆代工厂。 公司主要从事砷化镓微波集成电路(GaAs MMIC)晶圆之代工业务，提供HBT、pHEMT微波集成电路/离散组件与后端制程的晶圆代工服务，应用于高功率基站、低噪声放大器(LNA
2019-05-27 09:17
硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56
低噪声放大器（LNA）是怎样提出来的？低噪声放大器（LNA）有哪些优势？低噪声放大器（LNA）主要应用在哪些领域？
2021-04-23 06:46
用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80
2019-07-29 07:16
障碍，重要的技术进步包括： ● 表面声波(SAW)滤波器 ● FBAR滤波器 ● 异质结双极晶体管(HBT) ● E-pHEMT
2019-06-25 07:04
在竞争激烈的GSM电话终端市场上，终端制造商开始期待可以加快开发速度和缩短开发周期的解决方案。由于越来越多功能丰富的新型手机开始集成百万像素数字相机、蓝牙技术和多媒体功能，设计者开始寻找尺寸更小和集成度更高的发射和接收RF模块，它们能够在提供卓越性能水平的同时占用更小的板空间。
2019-08-22 07:12
最近工作中碰到了这种管子，是Avagotech的ATF-35143-TR1这个芯片，有没有人能给解答一下这个芯片的用途是什么呢？在电路中它完全独立的，没有和其它芯片连接，很困惑~~
2012-12-26 20:35
