在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下分
2011-06-24 16:29
HMC498LC4：GAAs PHEMT介电安培，17-24 GHz数据Sheet
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半导体合格测试报告：PHEMT-H(QTR：2013-00260)
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ADPA7004: 40 GHz to 80 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, Wideband Power Amplifier Data Sheet
2021-01-27 22:10
半导体合格测试报告：PHEMT-A(QTR：2013-00267)
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2021-05-20 08:17
HMC463：GaAs pHEMT MMIC低噪声AGC放大器芯片数据表
2021-04-28 10:56
