开关速度是个涉及多个事件的复杂参数，每个事件都有自己的持续时间。借助已申请专利的pHEMT技术，M/A-COM Technology Solutions公司(下文简称为M/A-COM)已经找到了一种
2019-08-20 07:17
目前用到一款有源倍频器HMC368，pHEMT的MMIC，其中pin21和23为Vg1和Vg2，也就是pHEMT的栅压，我看到数据手册上要求的Vg口供电为负压，-2~0V，这个栅压应该是影响漏电
2018-08-23 19:40
低噪声、高线性度和无条件稳定性等关键要求。为此，Skyworks使用 0.5 微米增强型pHEMT（即E-pHEMT） 技术开发了新的低噪声放大器 (LNA) 系列。覆盖 0.7–1.0 GHz
2019-06-26 07:38
由于功放常常使用PHEMT类型的晶体管，因此很多时候会使用负的偏置电压，为此设计者需要设计电源管理电路为其提供负压。本文总结了一些注意事项，供大家参考。
2021-07-27 06:47
概述：RFPP2870是一款推挽式放大器，它具有极佳的失真性能和极高的可靠性。RFPP2870采用了 GaN HEMT、GaAs MESFET 和 GaAs pHEMT 片芯，工作频率为 40MHz 至 100MHz...
2021-04-12 06:30
最近工作中碰到了这种管子，是Avagotech的ATF-35143-TR1这个芯片，有没有人能给解答一下这个芯片的用途是什么呢？在电路中它完全独立的，没有和其它芯片连接，很困惑~~
2012-12-26 20:35
硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺
2019-07-30 07:56
CHA2063A99F是款两级宽带单片低噪声放大器。CHA2063A99F以芯片类型供应。电源电路选用PHEMT制造技术，0.25um栅极尺寸，横穿基板的通孔，空气桥和电子束门光刻技术
2024-01-15 14:32
UMS的CHA3688aQDG是款三级自偏置宽带单片低噪声放大器单片电路。 CHA3688aQDG选用 pHEMT 工艺技术、0.25μm 栅极尺寸、横穿基板的通孔、空气桥和电子束栅极光刻工艺生产
2024-03-06 15:46
应用。CHA3656-FAB选用PHEMT制造技术，栅极尺寸为0.25μm，通过横穿基板的孔、空气桥和电子束栅极光刻技术。CHA3656-FAB以表面贴装式密封封装提供。主要特征宽带性能：5.8-16GHZ1db增益值压缩
2023-12-26 15:41
