LCVCO的调节范围相对于采用HBT、SiGe和MESFET等工艺的振荡器来说要小得多。同时VCO的振荡频率受工艺、电源电压以及温度(PVT)的 影响很大，这需要VCO有足够的调节范围以补偿PVT变化所带来的影响。
2019-08-27 06:07
1引言 GaAsMMIC控制电路由于体积小、重量轻、开关速度快、抗辐射、可靠性高、几乎无功耗等显著优点在许多电子系统中获得广泛应用。众所周知，在现代先进的移动通信等系统（如空间分集智能天线和相控阵系统）中，均需进行幅度和相位的调整，一般系统均要求相位调整时，幅度变化越小越好。而幅度调整时，相位变化越小越好。文中所提DC-50GHz超宽带的GaAsMMIC压控电调衰减器除了具有大动态衰减范围、优良的衰减随控制电压变化的线性度、优异的输入/输出驻波及多功能等特点外，低的插入相移是这种芯片的最显著的特点。因此，这种电路可以用作：a）低插入相移条件下，作为DC?50GHzMMIC可变衰减器，组成自动损耗控制组件；b）在多倍频程的矢量调制器中，在引入低插入相移时完成幅度调制和幅度调整功能；c）DC-50GHz的高性能吸收式（或称匹配型）单刀单掷开关；d）多倍频程的脉冲幅度调制器；e）与宽带放大器级联组成宽频带、大动态、衰减量随控制电压高线性变化的AGC（自动增益控制）放大器。
2019-06-25 07:01
怎么设计一种DC 50GHz高性能MMIC压控可变衰减器？GaAsMMIC压控电调衰减器具有哪些功能特点？DC 50GHz的频率范围有哪些？
2021-04-14 06:56
用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80
2019-07-29 07:16
ADC 及DAC 的DRFM 系统得到广泛应用[1～4 ]。本文利用GaAs MESFET 全离子注入非自对准常规工艺设计了用于3bit 相位体制DRFM 系统的单片超高速相位体制ADC。测试结果表明
2019-07-09 06:57
阻抗匹配可以很好的解决这一问题。微带传输线阻抗匹配电路设计现通过工程实例分析与大家分享微带传输线阻抗匹配的应用经验。使用一款MESFET功放管进行功率放大器设计，该功率放大器的工作频率为5.3GHz
2019-06-24 06:43
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光器件的研究已取得了很大进展[1~ 3] ，在国外工作于绿光到紫光可见光区内的GaN LED 早已实现了商业化[2]；国内多家单位成功制作了蓝色发光二极管，并初步实现了产业化[3]。而众多的研究[4~ 14] 表明，GaN 材料在制作耐高温的微波大功率器件方面也极具优势。笔者从材料的角度分析了GaN 适用于微波器件制造的原因，介绍了几种GaN 基微波器件最新研究动态，对GaN 调制掺杂场效应晶体管（MODFETs）的工作原理以及特性进行了具体分析，并同其他微波器件进行了比较，展示了其在微波高功率应用方面的巨大潜力。
2019-06-25 07:41
随着科学技术的发展，越来越多的振荡器和天线集成在一起。小型化设计通常要求将多种器件集成到普通、紧凑的结构中。那么大家知道，什么是集成振荡器式有源天线吗？
2019-08-06 07:32
随着科学技术的发展，越来越多的振荡器和天线集成在一起。小型化设计通常要求将多种器件集成到普通、紧凑的结构中。为了评价没有辐射特性干扰下的有源天线振荡特性，经过校准的传感器被放置在天线的辐射边沿，该天线具有最高电压。正如所示，在实现振荡频率调整后，满足了目标设计指标。
2019-08-13 06:01
随着科学技术的发展，越来越多的振荡器和天线集成在一起。小型化设计通常要求将多种器件集成到普通、紧凑的结构中。采用电压串联反馈来扩大有源器件的不稳定区，同时也将输入和输出反射最大化。在天线输入端的输出功率采用受特定相位噪声和谐波水平影响的约束进行优化。为了评价没有辐射特性干扰下的有源天线振荡特性，经过校准的传感器被放置在天线的辐射边沿，该天线具有最高电压。正如所示，在实现振荡频率调整后，满足了目标设计指标。
2019-06-21 06:09
