MESFET 热稳定性较差、漏电流较大、逻辑摆幅较小、抗噪声能力较弱。随着频率、功率容限以及低噪声容限需求的增加，砷化镓 MESFET已经达到了其设计上的极限，因为满足这些需求需要更大的饱和电流
2025-05-15 17:43
采用两个标准的双平衡混频器单元和一个90°混合器，在砷化镓、金属半导体场效应晶体管（MES）中制造。金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造的90°混合器。
2023-05-24 12:52
HMC-C044是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。
2025-04-03 17:16
HMC-C046是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器(IRM)或单边带上变频器。 该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。
2025-04-03 17:23
射频集成电路是处理高频无线讯号所有芯片的总称，通常包括：传送接收器、低杂讯放大器、功率放大器、带通滤波器、合成器、混频器等，通常由砷化镓晶圆制作的 MESFET、HEMT 元件，或矽锗晶圆制作的 BiCMOS 元件，或矽晶圆制作的 CMOS 元件组成.
2016-10-20 18:47
HMC-C041是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。
2025-04-03 17:06
HMC345ALP3E是一款宽带非反射GaAs MESFET SP4T开关，采用低成本无引脚表贴封装。该开关频率范围为DC至8 GHz，具有高隔离和低插入损耗。该开关还集成了板载二进制解码电路，将所需逻辑控制线减至两条。该开关采用0/+5V正控制电压工作，所需固定偏置为+5V。
2025-03-06 16:59
射频集成电路是处理高频无线讯号所有芯片的总称，通常包括：传送接收器、低杂讯放大器、功率放大器、带通滤波器、合成器、混频器等，通常由砷化镓晶圆制作的 MESFET、HEMT 元件，或矽锗晶圆制作的 BiCMOS 元件，或矽晶圆制作的 CMOS 元件组成。
2016-11-05 02:56
HMC-C042是一款无源I/Q MMIC混频器，封装在微型密封模块中，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该模块采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。
2025-04-03 17:10
HMC557A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的24引脚陶瓷无铅芯片载体封装。该器件可用作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。
2025-03-28 10:28
