PHMET是继MESFET之后最适合用于低噪放设计的管子。FET中的主要噪声源是热杂散，主要是由于管子的通道中的载流子的随机运动造成的。载流子的随机运动导致了电流的不规则变化，由此而产生了噪声。栅极
2023-02-20 15:02
MAX11014, MAX11015 RF MESFET放大器漏极电流自动控制器，用于A类和AB类放大器 MAX11014, MAX11015 概述 MAX11014/MAX11015设置
2008-12-20 11:58
Abstract: A current sensor that monitors the drain-source current (IDS) at the source of the MESFET
2009-05-07 10:40
目前，在高达数GHz的RF频段范围内，广泛使用的是GaAs MESFET LNAs，其优点是能够在功率增益高达20 dB的同时，使噪声系数低至大约1 dB。但随着CMOS电路技术的成熟，近来对RF
2020-08-06 15:18
MESFET 热稳定性较差、漏电流较大、逻辑摆幅较小、抗噪声能力较弱。随着频率、功率容限以及低噪声容限需求的增加，砷化镓 MESFET已经达到了其设计上的极限，因为满足这些需求需要更大的饱和电流
2025-05-15 17:43
SiC材料的能带和高温稳定性使得它在高温半导体元件方面有无可比拟的优势。採用SiC材料製成的MESFET、MOSFET、JFET、BJT等元件的工作温度可达500℃以上，提供工作于极端环境下的电子系统
2012-09-05 10:44
采用两个标准的双平衡混频器单元和一个90°混合器，在砷化镓、金属半导体场效应晶体管（MES）中制造。金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造的90°混合器。
2023-05-24 12:52
HMC553LC3B是一款通用双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容SMT封装，可用作7至14 GHz之间的上变频器或下变频器。该混频器采用GaAs MESFET工艺制造，不需要外部组件或匹配电路。
2023-05-30 15:04
半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造的90°混合器。HMC520AHMC520A是混合型图像拒绝器的一个较小的替代品。混频器和单边带上变频器组件的较小替代品。
2023-05-23 12:53
RFMD 的新型 RFPP2870 SOT115J 推挽式放大器在频率为 1003MHz 时最小增益为 28dB，它还具有极佳的失真性能和极高的可靠性。该器件采用了 GaN HEMT、GaAs MESFET 和 GaAs pHEMT 片芯，工作频率为 40MHz
2011-11-10 09:12
