功率密度射频应用合并选择的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直径可达6 英寸。GaN-on-Si 合并的热学性能则低得多，并且具有较高的射频损耗，但成本也低很多。这就是GaN-on-Si
2019-08-01 07:24
，采用SiC的解决方案的面积不到千分之一。另一方面，目前市场上的GaN功率组件则以GaN-on-SiC及GaN-on-Si两种晶圆进行制造，其中GaN-on-SiC在散
2019-05-09 06:21
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23
的应用做好准备。要使数字电源控制为GaN的应用做好准备，它需要针对更高开关频率、更窄占空比和精密死区时间控制的时基分辨率、采样分辨率和计算能力。图1和图2显示的是一个硅 (Si) MOSFET和一个GaN
2018-09-06 15:31
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41
的改善也同样显著。图 1：100KHz 和 500KHz 时的半桥 LLC 谐振转换器本文讨论了商用GaN功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器中的优势。对晶体管
2023-02-27 09:37
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16
GaN为何这么火?原因是什么
2021-03-11 06:47
所示为硅（Si）MOSFET和GaN MOSFET的上升和下降时间。图中数字显示死区时间存在两倍的差异，硅 MOSFET速度更慢。此外，GaN MOSFET的上升和下降更加线性。这些属性使得更精细的边缘
2018-08-30 15:05
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27
