年复一年，越来越多的用户通过无线方式传输越来越多的数据。为了跟上这一趋势并使数据传输更快、更高效，第五代移动通信 (5G) 正在推出，业界已经在关注未来的发展。5G 可实现 10Gbit/s 的峰值数据速率，而 6G 预计从 2030 年起将以 100Gbit/s 的速度运行。除了应对更多数据和连接之外，研究人员还研究下一代无线通信如何支持自动驾驶和全息存在等新用例。
2023-07-06 10:00
（Sapphire）与碳化矽（SiC）基板为主，且重大基本专利掌握在日本、美国和德国厂商手中。有鉴于专利与材料种种问题，开发矽基氮化镓（GaN-on-Si）磊晶技术遂能摆脱关键原料、技术受制于美日的困境。
2013-06-06 13:39
浙江大学近期首次报道了没有电流折叠（即没有动态导通电阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。这款功率整流器即使在从高反向应力偏置切换到500V后也仅需200ns，性能也超过了目前最先进的硅（GaN-on-Si
2018-10-26 17:28
自从20年前第一批商用产品问世，GaN在射频功率应用领域已成为LDMOS和GaAs的重要竞争对手，并且，正在以更低的成本不断提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时
2019-05-09 10:25
电压(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis衬底技术(QST®)硅基氮化镓(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首选技术，其主流最高工作电压范
2025-05-28 11:38 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
和传感器，5G运行频率还需要新的材料，例如GaN-on-SiC（碳化硅上氮化镓）、GaN-on-Si（硅上氮化镓）、SiGe（锗硅，应用于低噪音放大器）以及GaAs（砷化镓，应用于功率放大器）。
2018-06-04 14:44
松下在GaN基板产品和Si基板产品方面试制了2.1mm×2.0mm测试芯片做了比较。Si基板产品的导通电阻为150mΩ，GaN基板产品的导通电阻为100mΩ。Qoss方
2016-12-12 10:15
由于GaN在高温生长时N的离解压很高，很难得到大尺寸的GaN单晶材料，因此，为了实现低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人员经过几十年的不断研究，并不断尝试利用不同的外延生长方法在
2023-06-10 09:43
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表，器件在高频功率应用方面有巨大的潜力。GaN材料相比于 Si 和
2022-09-27 10:30
Felix Ejeckam于2003年发明了金刚石上的GaN，以有效地从GaN晶体管中最热的位置提取热量。其基本理念是利用较冷的GaN放大器使系统更节能，减少浪费。金刚石上的G
2018-07-26 17:50
