功率密度射频应用合并选择的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直径可达6 英寸。GaN-on-Si 合并的热学性能则低得多，并且具有较高的射频损耗，但成本也低很多。这就是GaN-on-Si
2019-08-01 07:24
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16
描述该参考设计为客户提供有关电源设计中 GaN 与 SI 使用情况的对比研究。该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381（对于硅电源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17
，采用SiC的解决方案的面积不到千分之一。另一方面，目前市场上的GaN功率组件则以GaN-on-SiC及GaN-on-Si两种晶圆进行制造，其中GaN-on-SiC在散
2019-05-09 06:21
半导体材料可实现比硅基表亲更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，这些功能使得在各种电源应用中减少重量，体积和生命周期成本成为可能。 Si，SiC和GaN器件的击穿电压和导通电阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42
，GaN-on-Si 将实现成本结构和使用现有大直径晶圆厂的能力，这将是一个很大的优势。由于硅是一种导电基板，因此在处理基板电位以及它与功率器件相互作用的方式方面带来了额外的挑战。第一个具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38
的应用做好准备。要使数字电源控制为GaN的应用做好准备，它需要针对更高开关频率、更窄占空比和精密死区时间控制的时基分辨率、采样分辨率和计算能力。图1和图2显示的是一个硅 (Si) MOSFET和一个GaN
2018-09-06 15:31
数字功放大多采用Si MOS管来充当D类放大器的主要开关管，由于Si材料本身的特性限制，针对Si器件Class D功放性能的提升较为困难，与此同时，更多基于GaN器件的
2023-06-25 15:59
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41
