大家都在谈论FinFET——可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜(FDSOI)的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言，其未
2019-09-27 06:59
finfet都用什么PR工具？现在后端工具inn成主流了吗？没用过Innovus想问一下也能跑skill吗？
2021-06-25 08:09
工艺技术的演进遵循摩尔定律，这是这些产品得以上市的主要促成因素。对整个行业来说，从基于大体积平面晶体管向FinFET三维晶体管的过渡是一个重要里程碑。这一过渡促使工艺技术经过了几代的持续演进，并且减小
2019-07-17 06:21
计算能力的另一种方法是改变用于制造芯片的材料，但从经济角度来看，它可能不适合。 简而言之，与传统的MOSFET技术相比，FinFET器件具有卓越的短通道特性，具有相当短的开关时间和更高的电流密度
2023-02-24 15:25
的复杂性，优点是减小栅源电容和增加晶体管宽度，缺点是寄生电阻增加。 π栅极和Ω栅极器件 π栅极（图5）和Ω栅极（图6）器件是通过加长沟道下方三栅极FinFET的侧壁部分而形成的。这种布置将有效门数从
2023-02-24 15:20
半导体发展至今，无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进，如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样，半导体器件的规格在不断的缩小，芯片的集成度也在不断提升，工艺制程从90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、到现在的7nm（对应都是MOS管栅长），目前也有了很多实验室在进行一些更小尺寸的研究。随着MOS管的尺寸不断的变小，沟道的不断变小，出现各种问题，如短沟道效应（DIBL、迁移率退化…）、栅极漏电、泄漏功率大等诸多问题，原先的结构开始力不从心，没有办法从现有的工艺制程中得到优良的结果，于是各个专家大佬不断的从材料、结构、工艺这三个方面找花样，解决问题，为下一代的工艺制程提供方案。
2020-12-10 06:55
SRAM两大问题挑战
2021-02-25 07:17
对于选购一台手机而言，我们除了注重外观、设计、屏幕大小之外，性能当然是必然着重考虑的因素，就像一般用户买汽车，并不会选择用30万去买一个0.6排量的车子(非混/电动)，所以硬件配置是根基，良好的体验需要基于强大的硬件性能。而手机的综合性能由处理器、RAM、ROM以及软件上的驱动/系统优化所决定，其中手机处理器则扮演着一个举足轻重的角色。
2021-02-25 06:38
FPGA在系统中表现出的特性是由芯片制造的半导体工艺决定的，当然它们之间的关系比较复杂。过去，在每一节点会改进工艺的各个方面，每一新器件的最佳工艺选择是尺寸最小的最新工艺。现在，情况已不再如此。
2019-09-17 07:40
kirin659处理器和麒麟960的区别在哪?
2018-07-13 16:24
