Nandra补充说，“FinFET固有增益很高，但是跨导（gm）实际上很低，和频率（ft）一样。更先进的几何布局比平面器件更容易实现匹配，能够很好的控制晶体管特性。结果是，您可以开发性能更好的电路。而且，还有其他的令人惊奇的地方。例如，输出电流较小，因此，您开发的数据转换器会更小。”
2019-09-25 14:27
FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。
2017-02-04 10:30
我们首先来了解一下什么是FinFET技术。
2017-12-26 16:44
现在，随着FinFET存储器的出现，需要克服更多的挑战。这份白皮书涵盖：FinFET存储器带来的新的设计复杂性、缺陷覆盖和良率挑战；怎样综合测试算法以检测和诊断FinFET存储器具体缺陷；如何通过内建自测试（BIST
2016-09-30 13:48
FinFET 同样带来了更多限制，例如电压阈值感知间隔、植入层规则等。这些因素将影响摆设、布局规划和优化引擎，还会直接影响设计的利用率和面积。多重图案拆分收敛和时序收敛相互依存，可以增加设计收敛时间。
2018-04-04 14:23
技术路线图始终是双向的，一半来自技术方面的进步，另一半来自市场的需求。
2022-08-10 11:44
引入不同的气态化学物质进行的，这些化学物质通过与基材反应来改变表面。IC最小特征的形成被称为前端制造工艺（FEOL），本文将集中简要介绍这部分，将按照如下图所示的 22 nm 技术节点制造 FinFET 的工艺流程，解释了 FEOL 制造过程中最重要的工艺步骤。
2023-12-06 18:17
负载效应 (loading) 的控制对良率和器件性能有重大影响，并且它会随着 FinFET（鳍式场效应晶体管）器件工艺的持续微缩变得越来越重要[1-2]。当晶圆的局部刻蚀速率取决于现有特征尺寸和局
2023-01-06 10:48
大家都在谈论FinFET——可以说，这是MOSFET自1960年商用化以来晶体管最大的变革。几乎每个人——除了仍然热心于全耗尽绝缘体硅薄膜 （FDSOI）的人，都认为20 nm节点以后，FinFET将成为SoC的未来。但是对于要使用这些SoC的系统开发人员而言，其
2013-12-09 13:49
半导体行业不断演变，旨在满足用户对移动设备和数字家庭等领域中每一代新产品的多方面需求，包括更多功能、性能、电池寿命和更低成本。半导体工艺技术的演进遵循摩尔定律，这是这些产品得以上市的主要促成因素。
2018-07-04 06:56
