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　　本文介绍设计人员如何采用针对FinFET工艺的IP而克服数据转换器设计的挑战。

2017-09-18 18:55

半导体行业目前面临集成电路（IC）制造方法的巨大变革，这一变革旨在不断提高IC的性能和密度，可能会对设计方法产生影响。晶圆代工厂家目前正准备根据finFET概念加强使用三维晶体管结构的14nm

2017-11-28 09:59

电子发烧友网为你提供怎样综合测试算法检测诊断FinFET存储器缺陷资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。

2021-04-26 08:50

虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。

2022-05-27 17:24

FET 的全名是“场效电晶体（Field Effect Transistor，FET）”，先从大家较耳熟能详的“MOS”来说明。MOS 的全名是“金属－氧化物－半导体场效电晶体（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）”，构造如图一所示，左边灰色的区域（矽）叫做“源极（Source）”，右边灰色的区域（矽）叫做“汲极 （Drain）”，中间有块金属（绿色）突出来叫做“闸极（Gate）”，闸极下方有一层厚度很薄的氧化物（黄色），因为中间由上而下依序为金属 （Metal）、氧化物

2019-06-13 08:00

本位介绍14nm节点FinFET工艺流程。（后栅工艺BEOL+FEOL） 3.1流程概述：晶圆材料-隔离—淀积多晶硅—芯轴—鳍硬掩膜（“侧墙”）—刻蚀形成鳍—双阱形成—制作临时辅助栅—补偿隔离

2019-04-10 08:00

UltraScale+ 产品组合：兼顾功耗与性能的最优选择，Performance‐per‐Watt with FinFET‐based All Programmable Architectures

2015-12-31 10:25