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    2019-04-28 15:19

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    2023-05-22 09:25

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      半导体发展至今,无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进,如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样,半导体器件的规格在不断的缩小,芯片的集成度也在不断提升,工艺制程从90nm、65nm、45nm、32nm、22nm、14nm、10nm、到现在的7nm(对应都是MOS管栅长),目前也有了很多实验室在进行一些更小尺寸的研究。随着MOS管的尺寸不断的变小,沟道的不断变小,出现各种问题,如短沟道效应(DIBL、迁移率退化…)、栅极漏电、泄漏功率大等诸多问题,原先的结构开始力不从心,没有办法从现有的工艺制程中得到优良的结果,于是各个专家大佬不断的从材料、结构、工艺这三个方面找花样,解决问题,为下一代的工艺制程提供方案。

    2020-12-10 06:55