下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当
2023-02-22 09:19
高频开关等宽带隙半导体是实现更高功率转换效率的助力。SiC FET就是一个例子，它由一个SiC JFET和一个硅MOSFET以共源共栅方式构成。
2022-11-11 09:13
1月5日，比亚迪发布会重磅发布了2款新的SiC电控的车型：比亚迪发布2款仰望车型搭载SiC电控，时隔2年，比亚迪再次公布了2款SiC电控的车型。正式发布了高端汽车品牌“仰望”，该品牌的两款量产车型也同步亮相同步亮相，
2023-06-29 16:53
宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比。
2022-10-31 09:03
纯SiC晶体是通过Lely升华技术生长的。晶体主要是6H-SiC，但包括其它多型体。1978年，Tairov和Tsvetkov发明了一种可复制的SiC晶块生长方法。
2022-12-28 11:44
罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可
2018-05-17 09:33
SiC的物理特性决定了其生长难度。在常压环境下，SiC并无熔点，一旦温度攀升至2000℃以上，便会直接发生气化分解现象。从理论层面预测，只有在压强高达109Pa且温度超过3200℃的极端条件下，才有
2025-04-18 11:28
碳化硅二极管多为肖特基二极管。第一个商用 SiC 肖特基二极管是在 10 多年前推出的。从那时起，这些设备已被整合到许多电源系统中。二极管升级为 SiC 功率开关，例如 JFET、BJT
2022-07-27 11:03
