如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42
相较于硅（ Si）器件，碳化硅（SiC）器件所具有的高开关速度与低通态电阻特性增加了其瞬态波形的非理想特性与对杂散参数影响的敏感性，对其瞬态建模的精度提出更高的要求。通过功率开关器件瞬态过程的时间
2018-02-01 14:01
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2025-01-21 13:59
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2023-08-29 16:24
（一）初识SiC科技前沿—第三代半导体技术—碳化硅SiC：技术和市场数据来源：知乎、英飞凌官网、ST官网 一、硅的瓶颈与宽禁带半导体的兴起上世纪五十年代以来，以硅（Si）材料为代表的第一代半导体材料
2023-02-27 14:39
EN-1230A可对各类型Si·二极管、Si·MOSFET、Si·IGBT和SiC·二极管、SiC·MOSFET、SiC·IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导
2023-02-23 09:20
SiC 肖特基二极管气体传感器可以广泛应用于检测气体排放物和气体泄露。通过采用PdCr 合金,可以提高Pd/ SiC 气体传感器的灵敏度。同时,在Pd 层和SiC 之间引入SnO2 作为界面层也是提高
2009-06-22 13:49
2023年国产SiC上车
2023-10-31 23:02 华秋可制造性分析软件 企业号
BASiC国产SiC碳化硅MOSFET分立器件及碳化硅功率SiC模块介绍
2025-01-16 14:32
