瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响，适当设定针对RTN的
2011-01-18 15:28
使用CM300xi-ULN探测系统结合PureLine 3技术，设备测试工程师、相关工程师和集成电路设计工程师都可以方便。精确闪烁，RTN和相位噪声测量先进的材料，封装互连，晶体管和集成电路可以简单而自动地完成，以便更快地获得数据。
2022-10-13 15:25
