为什么n外延层中掺杂浓度低时漏区先击穿，掺杂浓度较高时却是源区先击穿呢？（N外延区均全耗尽）能详细讲一下这个过程吗，这里不太能理解，谢谢。
2021-09-11 18:48
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。LDMOS (Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，横向扩散金属氧化物半导体)以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域。射频大功率LDMOS由于具有P、L波段以上的工作频率和高的性价比，已成为3G手机基站射频放大器的首选器件。随着IC集成度的提高及器件特征尺寸的减小，栅氧化层厚度越来越薄，其栅的耐压能力显著下降，击穿电压是射频LDMOS器件可靠性的一个重要参数，它不仅决定了其输出功率，还决定了器件的耐压能力，因此必须要采取措施以提高器件的击穿电压。本文将在基本LDMOS的基础上，探讨如何利用RFIC设计抗击穿LDMOS？
2019-07-31 07:30
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率MOSFET技术的过程中，以往常见以QG和QGD(即RDS(on)×QG和RDS(on)×QGD)为基础的因子(FOM)已无法满足需求，若坚持采用固定因子，将可能导致技术选择无法达成优化。通过此次分析的启示，工程师们已定义一套FOM以应用于新的低压功率MOSFET技术研发。由此产生的30伏特(V)技术以超级接面(Superjunction)为基础概念，是DC-DC转换器的理想选择；相较于横向和分裂闸极沟槽MOSFET等竞争技术，该技术可同时提供特定的低RDS(on)、QG、QGD、QOSS和高度闸极回跳抑制。
2019-07-04 06:22
什么是LDMOS？LDMOS有哪些有优良性能？什么是VDMOS？VDMOS具有哪些特征？
2021-06-18 06:56
