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  • 关于LDMOS击穿电场相关问题 resurf

    为什么n外延层中掺杂浓度低时漏区先击穿,掺杂浓度较高时却是源区先击穿呢?(N外延区均全耗尽)能详细讲一下这个过程吗,这里不太能理解,谢谢。

    2021-09-11 18:48