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LDMOS器件设计中，常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LD-MOS器件，围绕当获得最优的器件结构时，其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开
2017-11-08 14:50
本文首次采用解析方法及二维计算机模拟讨论了RESURF原理应用于SOILDMOS晶体管.
2011-12-01 14:17
随着集成电路的发展，尤其是智能功率集成电路的发展，对功率器件提出了越来越高的要求。LDMOS由于它的电极均可以在器件的表面引出，因而可以与主流的VLSI集成电路丁艺技术相兼容，成为了功率集成电路的首选，并广泛应用于LED驱动、电源管理及汽车电子等领域。对于LDMOS来说，比导通电阻和击穿电压是两个重要的参数，同时相互影响，降低比导通电阻和提高击穿电压是器件的设计与研究的热点与难点。目前采用的技术主要有以下几种：场板技术，
2017-11-02 14:32
为什么n外延层中掺杂浓度低时漏区先击穿，掺杂浓度较高时却是源区先击穿呢？（N外延区均全耗尽）能详细讲一下这个过程吗，这里不太能理解，谢谢。
2021-09-11 18:48
通过对不同器件结构LDMOS的静电放电防护性能的分析对比，指出带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电防护方面的优势。
2011-12-01 11:00
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构，采用Double RESURF技术和场板技术，耐压可达700伏。本文借助二维器件模拟软件MEDICI，分析了器件的参数对击穿电压和导通电阻的影
2010-07-14 16:28
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构，采用Double RESURF技术和场板技术，耐压可达700伏。本文借助二维器件模拟软件MEDICI，分析了器件的参数对击穿电压和导通电阻的影
2010-02-23 11:34
