功率MOSFE变换器 T1为与期望电压相匹配的
2009-09-18 16:45
NP30P10G(100V P沟道增强模式MOSFE)
2022-07-14 09:53
MOSFET损坏的主要原因包括静电损坏、过压、过流、过热和寄生振荡等。为了预防和解决这些问题，可以采取一系列措施，包括合理设计电路、做好静电与浪涌防护、选择合适的MOSFET型号、加强散热设计以及定期检查和维护。
2024-09-21 11:32
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43
SGT MOSFE是一种新型的功率半导体器件，具有传统深沟槽MOSFE的低导通损耗的优点，同时具有更加低的开关损耗。SGT MOSFE作为开关器件应用于新能源电动车、新型光伏发电、节能家电等领域
2020-12-25 14:02
MAX5973为相冗余DC-DC转换器提供独立的从相操作保护。电源保护功能包括一个用于驱动降压型电源输入的外部n沟道MOSFE
2010-10-20 08:56
采用PWM功率放大器的新型中频电源设计方案 引 言 随着电力电子技术及器件的发展；特别是功率MOSFE
2010-02-27 10:56
TI 推出面向高电流 DC/DC 应用、显著降低上表面热阻的功率 MOSFE 采用创新封装手段的 DualCool(TM) NexFET(TM) 功率 MOSFET 在标准封装尺寸下将散热效率提升 80%、允许电流
2010-01-14 14:17
新型高耐压功率场效应晶体管 摘要：分析了常规高压MOSFET的耐压与导通电阻间的矛盾，介绍了内建横向电场的高压MOSFE
2009-07-16 09:01
NSi82xx系列采用创新性的“Adaptive OOK”技术，将抗共模瞬态干扰能力提升至200kV/us以上，使得该产品具有更强的可靠性和稳定度，更加符合GaN、MOSFE等高速开关场合对快速瞬态干扰免疫的严苛要求。
2020-04-30 11:05
