（Plannar）技术，具有低导通电阻和高可靠性，适用于高压功率电子应用。### 详细参数说明：- **封装：** TO247- **器件类型：** 单N沟道MOSFE
2024-07-08 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
(ON): 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压: 1.2~2.2V应用简介:ZXMN3A14FTA-VB是一款N-Channel沟道功率MOSFE
2024-04-12 13:56 微碧半导体VBsemi 企业号
态电阻：57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V- 阈值电压：Vth=-0.81V应用简介：NTRV4101PT1G-VB是一款P—Channel沟道MOSFE
2024-04-02 15:30 微碧半导体VBsemi 企业号
，适用于需要高电压控制的场合。该器件的栅源电压 (VGS) 可达 ±30V，能够在复杂电路中提供稳定的控制。阈值电压 (Vth) 为 3.5V，使得该 MOSFE
2025-09-15 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
电流（ID），在 VGS 为 4.5V 和 10V 时，其导通电阻（RDS(on)）分别为 3.2mΩ 和 2.3mΩ。采用 Trench 技术，这款 MOSFE
2025-01-07 13:43 微碧半导体VBsemi 企业号
(ON): 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压: 1.2~2.2V应用简介:ZXMN3B14FTC-VB是一款N-Channel沟道功率MOSFE
2024-04-12 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 4.5V- 门源电压（Vgs）范围：±20V- 阈值电压（Vth）：1.53V- 封装：SOT223应用简介：NTF3055-100T1G-VB是一款N沟道MOSFE
2023-12-18 11:42 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 10V, 57mΩ @ 4.5V, 20Vgs- 阈值电压（Vth）：-1.5V- 封装：TO252应用简介：ZXMP6A18KTC-VB是一款P沟道MOSFE
2023-12-15 10:11 微碧半导体VBsemi 企业号
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFE
2023-05-12 10:27 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFE
2023-05-12 09:38 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
