（Plannar）技术，具有低导通电阻和高可靠性，适用于高压功率电子应用。### 详细参数说明：- **封装：** TO247- **器件类型：** 单N沟道MOSFE
2024-07-08 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
态电阻：57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V- 阈值电压：Vth=-0.81V应用简介：NTRV4101PT1G-VB是一款P—Channel沟道MOSFE
2024-04-02 15:30 微碧半导体VBsemi 企业号
=10V, VGS=20V- 阈值电压: 1.5V封装: SOP8详细参数说明:SI9945DY-T1-E3-VB是VBsemi品牌推出的一款N沟道功率MOSFE
2024-04-07 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号
=10V, VGS=20V- 阈值电压: 1.5V封装: SOP8详细参数说明:SI4906DY-T1-E3-VB是VBsemi品牌推出的一款N沟道功率MOSFE
2024-04-07 13:53 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 10V- 门源电压范围（Vgs）：20V（正负）- 阈值电压（Vth）：1.6V- 封装：SOT23应用简介：AO3460-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFE
2023-12-14 11:21 微碧半导体VBsemi 企业号
电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.9V 封装类型 TO263应用简介 IRFZ24NS（丝印 VBL1632）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFE
2023-11-03 09:27 微碧半导体VBsemi 企业号
门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.87V 封装类型 SOT23应用简介 BSS847F（丝印 VB264K）是VBsemi公司生产的一款P沟道MOSFE
2023-10-31 10:03 微碧半导体VBsemi 企业号
的开放标准数字接口协议) 实现的远程可配置性及电源管理参数的遥测监察功能。LTM4677 包括快速模拟控制环路、高精度混合信号电路、EEPROM、功率 MOSFE
2023-04-25 10:38 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
电流（ID），在 VGS 为 4.5V 和 10V 时，其导通电阻（RDS(on)）分别为 3.2mΩ 和 2.3mΩ。采用 Trench 技术，这款 MOSFE
2025-01-07 13:43 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 4.5V- 门源电压（Vgs）范围：±20V- 阈值电压（Vth）：1.53V- 封装：SOT223应用简介：NTF3055-100T1G-VB是一款N沟道MOSFE
2023-12-18 11:42 微碧半导体VBsemi 企业号
