电子发烧友
1w次浏览
功率MOSFE变换器 T1为与期望电压相匹配的
2009-09-18 16:45
刚做了一个驱动芯片驱动的mosfet电路，但是mosfet输出波形占空比只能在20%以下和80%以上，这段区间之内却显示方波上面高电平一直存在。请问这是什么原因引起的呢？图1为mosfet大致的电路就是这样，我有在G极加10欧左右的电阻。图2、3中是mosfet输出，好用占空比的时候的方波。图4为占空比20%至80%时会变成的样子，因为没截图我就手画了下。由于刚接触这方便，很多不懂的地方，希望可以得到大家的解答。谢谢~~
2017-10-31 17:27
NP30P10G(100V P沟道增强模式MOSFE)
2022-07-14 09:53
速的SMPS器件相配合。后语：MOSFE和IGBT是没有本质区别的，人们常问的“是MOSFET好还是IGBT好”这个问题本身就是错误的。至于我们为何有时用MOSFET，有时又不用MOSFET而采用IGBT，不能简单的用好和坏来区分，来判定，需要用辩证的方法来考虑这个问题。`
2018-09-28 14:14
MOSFET损坏的主要原因包括静电损坏、过压、过流、过热和寄生振荡等。为了预防和解决这些问题，可以采取一系列措施，包括合理设计电路、做好静电与浪涌防护、选择合适的MOSFET型号、加强散热设计以及定期检查和维护。
2024-09-21 11:32
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43
具有n通道，5V逻辑水平控制增强模式低电阻RDS(on)@VGS=4.5VVitoMOS®Ⅱ技术100%雪崩测试无铅镀；RoHS兼容
2021-11-02 11:59
20 V, 2 A P-CHANNEL TRENCH MOSFE
2023-03-27 14:34
