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  • 基于MoSe2-WSe2异质结器件的制备与表征

    芯片是我国核心科技的“卡脖子”难题,随着芯片尺寸的逐渐降低,对材料科学和热科学等领域都提出了新的挑战。

    2022-10-17 15:39

  • 基于单层MoSe2-WSe2异质结器件

    近几十年来,硅芯片的尺寸一直在不断减小,正接近其物理极限。电子产业一直面临着寻找具有本征半导体特性的纳米材料的艰巨挑战。

    2022-10-19 16:03

  • 突破:有望实现二维半导体集成规模化制造

    进一步计算发现,该策略对于其他过渡金属硫族化合物半导体(如WS2、MoSe2、WSe2)具有普适性。在实验上,团队发展出高温蒸镀工艺在MoS2上实现了Sb(0112)薄膜的制备,通过X射线衍射和扫描透射电子显微镜验证了Sb薄膜的取向,以及与MoS2之间的理想界面。

    2023-01-13 11:28

  • 仅一个原子厚的最纤薄镜子可用于研制专用传感器

    据美国趣味科学网站近日报道,两个独立的科研团队分别研制出了迄今最纤薄的镜子——仅一个原子厚的硒化钼(MoSe2)薄片,这一工程学上的奇迹将物理世界的极限向前推进了一步。研究人员表示,这种纤薄的镜子可用于研制非常小的专用传感器,以及使用激光传输信息的计算机芯片。

    2018-07-20 09:10

  • 《Small》:新型原位硒化和单原子稳定的异质结构催化剂!

    基于此,印度理工学院和韩国科学技术研究所的研究团队介绍了一种通过混合金属氧化物/氢氧化物的硒化实现的边缘取向硒化钼(MoSe2)和镍钴硒化物(NiCo2Se4)的异质结构。所开发的片上片异质结构

    2023-03-23 10:39

  • 利用液态金属镓剥离制备二维纳米片(2D NSs)的方法

    将过渡金属硫化物的2H相转变为1T’相。该方法制备的二维纳米片具有高纵横比、无表面活性剂污染等特点,适用于超过10种二维材料,包括h-BN、石墨烯、MoTe2、MoSe2和层状材料等。通过调整层状材料的初始缺陷水平,可以定制二维纳米片的金属性和

    2024-12-30 09:28