关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-HEMT三种器件结构的关态栅漏电曲线，漏极电压Vd设定在0V，反向栅极电压从0V扫描至-10V，正向栅电压扫描至5V。
2023-02-14 09:18
对比来看，主要用于高端应用的扇出型封装（Fan-Out），其标准密度是： I / O小于500的封装，其线宽线距在8μm以上；而高密度扇出型封装，其I / O大于500，线宽线距小于8μm。 同时，MIS材料本身相对较薄。该类基板在封装过程中容易出现翘曲及均匀性问题。
2018-05-17 15:57
RFID，英文全称为Radio Frequency Identification，中文名称为无线射频识别，人们形象地将其称为电子标签。
2020-03-25 16:20
通过AlN栅介质层MIS-HEMT和Al2O3栅介质层MOS-HEMT器件对比研究发现，PEALD沉积AlN栅绝缘层可以大幅改善绝缘栅器件的界面和沟道输运特性；但是由于材料属性和生长工艺的局限性
2023-02-14 09:16
绝缘栅和肖特基栅HEMT器件结构如图1所示， AlGaN/GaN异质结采用MOCVD技术在2英寸c面蓝宝石衬底上外延得到，由下往上依次为180nm高温AlN成核层、13μm非掺杂GaN缓冲层、1nm AlN界面插入层、22nm AlGaN势垒层、及2nm GaN帽层，势垒层铝组分设定为30%。
2023-02-14 09:31
集散控制系统 (Distributed Control system) 是以微处理器为基础的集中分散型控制系统。
2018-08-23 15:25
C-V测试是研究绝缘栅HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley 4200半导体表征系统的CVU模块测量了肖特基栅和绝缘栅异质结构的C-V特性。
2023-02-14 09:17
ZWS IoT云平台支持多种协议的设备快速接入，支持数据透传转发以及完善的二次开发包，支持全私有化部署，并提供功能丰富的后台MIS系统进行设备统一管理，为客户的核心需求提供一站式的解决方案。
2019-11-08 15:33
智能工厂是当今工厂在设备智能化、管理现代化、信息计算机化的基础上达到的新的阶段，其内容不但包含上述的智能设备和自动化系统的集成，还涵盖了企业管理信息系统（MIS）的全部内容，包括人事系统、财务系统、销售系统、调度系统等方面。
2018-01-03 18:47
整个系统（包括数据采集及加药控制）的上位机可由一台工业计算机（IPC）完成，实现数据处理和管理，并与MIS系统等联网。图1为在线监控及诊断系统图。
2020-05-08 09:33
