一、MIS6300-VB 产品简介：MIS6300-VB 是一款 N-Channel 沟道 MOSFET，品牌为 VBsemi。其特点包括 30V 额定电压、6A 额定电流，且在 VGS=10V
2024-06-11 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：MIS6212-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管型号，采用SOT23-6封装。该型号具有可靠的性能和稳定的工作特性，在30V的漏极-源极电压下，能够承受高达6A的漏极电流
2024-06-11 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号
MIS6416-VB---**产品简介：**MIS6416-VB 是由 VBsemi 公司推出的 N-Channel 沟道 MOSFET。它具有出色的特性，包括 30V 的漏极-源极电压承受能力
2024-06-11 15:22 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是MIS6327-VB的产品简介详述、详细参数说明以及适用领域和模块的举例说明：### 产品简介详述：MIS6327-VB是由VBsemi生产的双N+P沟道场效应晶体管，适用于广泛的电源管理
2024-06-11 15:17 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是MIS6418-VB型号的产品简介和详细参数说明：### 产品简介：MIS6418-VB是VBsemi生产的N—Channel沟道功率场效应晶体管，具有以下特点：- 负载工作电压：30V-
2024-06-11 15:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：MIS6611-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管型号，采用SOT23-6封装。该型号具有可靠的性能和稳定的工作特性，在-60V的漏极-源极电压下，能够承受高达-6.5A
2024-06-11 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**MIS6410-VB是VBsemi品牌推出的N-Channel沟道场效应管，具有30V的耐压和6A的耐电流能力。该器件在VGS=10V时，具有30mΩ的RDS(ON)，并在VGS
2024-06-11 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介MIS6306-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET，具有30V的漏极-源极电压承受能力，最大漏极电流为6A。其特点包括低导通电阻（RDS(ON)）和1.2V
2024-06-11 15:15 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：MIS6537-VB品牌：VBsemi丝印：VB5222参数说明：- 沟道类型：2个N+P-Channel- 工作电压范围：±20V- 最大电流：7A（正向） / 4.5A（反向）- 开态电阻
2024-06-11 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 44MIS8207-VB SOT23-6 MOSFET 产品简介44MIS8207-VB 是一款双通道 N+N 沟道场效应管，采用 SOT23-6 封装，适用于各种电子应用中的高效能管理
2024-11-08 16:27 微碧半导体VBsemi 企业号
