时序，要建立验证关键路径中所有元件与实际宏的LPE网表之间匹配程度的工具。对我们感兴趣的节点，要比较关键路径和LPE网表之间的引线、栅极、源极、漏极、耦合电容和电阻。当这些参数不匹配时，就必须修正
2019-07-12 06:08
/i915_oa_glk.oCCdrivers/gpu/drm/i915/intel_lpe_audio.oARdrivers/gpu/drm/i915/i915.oARdrivers/gpu/drm
2022-01-13 08:17
\"-d:8Ld8bd,A \"::1C\"B,2\"+3sc16+\"\"::6C\"⸮$⸮⸮⸮***⸮bJ LPe:f6+
2023-06-07 08:21
随着集成电路制造工艺水平的提高，半导体芯片上可以集成更多的功能，为了让产品有别于竞争对手的产品特性，在ASIC上集成存储器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系统级芯片的可靠性。随着对嵌入式存储器需求的持续增长，其复杂性、密度和速度也日益增加，从而需要提出一种专用存储器设计方法。
2019-11-01 07:01
/ intel_lpe_audio.o AR驱动/ GPU / DRM /i915/i915.o AR司机/ GPU / DRM / I915 /√in.o AR驱动器/ GPU / DRM /√in.o
2021-12-30 06:39
对于选购一台手机而言，我们除了注重外观、设计、屏幕大小之外，性能当然是必然着重考虑的因素，就像一般用户买汽车，并不会选择用30万去买一个0.6排量的车子(非混/电动)，所以硬件配置是根基，良好的体验需要基于强大的硬件性能。而手机的综合性能由处理器、RAM、ROM以及软件上的驱动/系统优化所决定，其中手机处理器则扮演着一个举足轻重的角色。
2021-02-25 06:38
想请教各位前辈几个问题，请知晓的前辈不烦赐教，谢谢！1.关于mos管WPE Proximity Effect的设置，lz用的是tsmc 55nm的工艺，在WPE Proximity Effect Cal. Method一栏中有4个选项，分别为off/auto/custom/PreSet，初始默认的是off，但之前lz一直设置的是Preset选项，因为之前在公司实习的时候被告知选Preset，但是后面做post-sim的时候发现这会造成mos Vth和DC偏置电位较大的偏移，主要是由于layout提取的mos WPE参数与之前设置的Preset有较大的差别，相对的在前仿的时候pmos选auto或者off，core nmos和dnw nmos选off，这样前后仿DC偏置偏移较小。不知道各位前辈在调用mos管时会不会更改WPE Proximity Effect的选项？以及选择某个选项的理由？2.关于mos管DFM options的设置，初始默认的是minRule，但同样在实习期间被告知选DFM+Analog选项，所以一直选的是DFM+Analog, lz知道DFM是为了提高良率而设置的以及相对应有DFM rule，一般数字电路默认minRule即可，但不清楚DFM options的选择有没有特定的场合？以及DFM和DFM+Analog之间的区别？各位前辈在调用mos管时是否会去更改DFM options这个选项？3.关于schematic中Mos的fingers及Multiplier与Layout中fingers及Multiplier不对应的问题(总的W=fingers*Multiplier不变)，通常为了省面积，很多Layout designer会更多的用fingers来代替Multiplier，但通常在schematic中不会将fingers设置的很大，而Layout中fingers很大是常见的，显然schematic和Layout产生了差别，导致了STI效应和WPE效应参数的区别，从而影响Vth，导致DC偏置电位偏移以及vdsat等参数的变化，在电流镜中也会产生电流镜电流的偏移的情况。这是否需要避免？或者干脆在schematic中基本都用fingers来表示？还是不省面积使Layout中的fingers和Multiplier与schematic中的一直？前辈们是如何来应对这个问题的？
2021-06-24 06:29
ARM公司今天发布了创新的Cortex-M4处理器，为数字信号控制（DSC）应用提供高效的解决方案。同时，ARM公司也继续保持了针对先进的微控制器（MCU）应用的ARM Cortex-M系列处理器在业界的领导地位。
2019-09-25 07:36
