时序，要建立验证关键路径中所有元件与实际宏的LPE网表之间匹配程度的工具。对我们感兴趣的节点，要比较关键路径和LPE网表之间的引线、栅极、源极、漏极、耦合电容和电阻。当这些参数不匹配时，就必须修正
2019-07-12 06:08
；2. 熟悉Unix/Linux下的版图设计工具，熟练掌握DRC、LVS、LPE等版图验证流程；3. 有独立完成floor planning，Analog/RF cell-,block-
2020-06-08 18:39
，LVS.完成LPE参数提取。任职要求：1、三年以上模拟/混合电路版图设计工作经验；2、能熟练运用Virtuoso版图工具和Calibre物理验证工具；3、熟悉CMOS半导体工艺和制程；4、熟悉
2017-07-25 21:32
\"-d:8Ld8bd,A \"::1C\"B,2\"+3sc16+\"\"::6C\"⸮$⸮⸮⸮***⸮bJ LPe:f6+
2023-06-07 08:21
/i915_oa_glk.oCCdrivers/gpu/drm/i915/intel_lpe_audio.oARdrivers/gpu/drm/i915/i915.oARdrivers/gpu/drm
2022-01-13 08:17
外延生长法(LPE)外延生长法(epitaxial growth)能生长出和单晶衬底的原子排列同样的单晶薄膜。在双极型集成电路中，为了将衬底和器件区域隔离(电绝缘)，在P型衬底上外延生长N型单晶硅层
2019-08-16 11:09
/ intel_lpe_audio.o AR驱动/ GPU / DRM /i915/i915.o AR司机/ GPU / DRM / I915 /√in.o AR驱动器/ GPU / DRM /√in.o
2021-12-30 06:39
相对于常规芯片要亮。2. 信赖性优良。3. 应用广泛。发光二极管芯片材料磊晶种类1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP2 、VPE：Vapor Phase
2016-11-04 14:50
(HVPE)、 氨热生长、和液相外延 (LPE)。 块状晶体生长后，晶体经历晶圆加工，包括切割、研磨、机械抛光和化学机械抛光 (CMP)。机械加工产生的表面具有密集的划痕和损坏网络。然而，要通过同质外延在
2021-07-07 10:26
和LPE滤波后送至示波器就可以观察的还原后的波形。 普通模拟示波器CRT上的P31荧光物质的余辉时间小于1ms。在有些情况下，使用P7荧光物质的CRT能给出大约300ms的余辉时间。只要有信号照射
2017-09-06 17:20
