LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，横向扩散金属氧化物半导体）以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用
2017-10-13 10:59
场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术，对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化 厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析， 在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDM
2011-12-01 14:08
分析了LDMOS(lateral DMOS) 在一次雪崩击穿后的局部电热效应. 提出并证明了等温分析和电热分析分别得到的LDMOS 的触发点是不同的;分析了局部晶格温度在空间上的分布特点;并提出晶格温度
2011-12-01 14:15
随着集成电路的发展，尤其是智能功率集成电路的发展，对功率器件提出了越来越高的要求。LDMOS由于它的电极均可以在器件的表面引出，因而可以与主流的VLSI集成电路丁艺技术相兼容，成为了功率集成电路
2017-11-02 14:32
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构，采用Double RESURF技术和场板技术，耐压可达700伏。本文借助二维器件模拟软件MEDICI，分析了器件的参数对击穿电压和导通电阻的影
2010-07-14 16:28
采用吉时利直流参数测试系统并配合高压测试探针对制备的LDMOS器件进行在片测试。利用光学显微镜观察器件的具体结构，并用探针给相应的电极加电，只使用探针向器件栅、漏极加电，而源极直接通过衬底与金属吸盘接地。
2021-06-07 11:15
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构，采用Double RESURF技术和场板技术，耐压可达700伏。本文借助二维器件模拟软件MEDICI，分析了器件的参数对击穿电压和导通电阻的影
2010-02-23 11:34
提出了具有n 埋层PSOI(部分SOI) 结构的射频功率LDMOS 器件. 射频功率LDMOS 的寄生电容直接影响器件的输出特性. 具有n 埋层结构的PSOI 射频LDMOS ,其Ⅰ层下的耗尽层宽度增大,输出电容减小
2011-12-01 14:13
LDMOS器件设计中，常采用RESURF技术来提高器件的性能。文中主要研究具有RESURF技术结构的LD-MOS器件，围绕当获得最优的器件结构时，其外延层单位面积杂质密度Ntot不是定值这一现象展开
2017-11-08 14:50
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明
2020-09-25 10:44
