LDMOS L DMOS (横向扩散金属氧化物半导体) 结构见图。 在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。 与晶体管相比，在关键
2020-05-24 01:19
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠
2020-04-07 09:00
什么是LDMOS？LDMOS有哪些有优良性能？什么是VDMOS？VDMOS具有哪些特征？
2021-06-18 06:56
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了
2019-06-26 07:33
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化
2019-07-31 07:30
GaN为5G sub-6GHz大规模MIMO基站应用提供的优势LDMOS的优势是什么如何选择正确的晶体管技术
2021-03-09 07:52
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16
■ 恩智浦半导体 K. Werner，S. Theeuwen，J. de Boet，V. Bloem，W. Sneijers高压LDMOS是高达3.8GHz的国防和航空电子设备RF功率应用的最佳技术
2019-07-05 07:01
LDMOS RF功率放大器因其极高的性价比在GSM和CDMA基站市场占据了主导地位。使用LDMOS放大器时，保证高性能的一个关键因素是补偿栅极偏置电压，以在温度变化时保持恒定的静态电流。Maxim的DS1870偏置控制器是目前众多的
2019-08-23 06:38
的阻抗匹配范围、优化性能以及架构选择，所以为PA设计提供了很大灵活性。但如何满足WiMAX基站系统对PA的高输出功率、低失真以及高功效的要求呢？本文讨论的基于硅LDMOS技术的RFIC具有足够输出功率，能
2019-06-25 06:55
