LDMOS（laterally-diffused metal-oxide semiconductor）是在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。
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LDMOS L DMOS (横向扩散金属氧化物半导体) 结构见图。 在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、实现功率控制等方面的要求，常用于射频功率电路。 与晶体管相比，在关键
2020-05-24 01:19
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠
2020-04-07 09:00
什么是LDMOS？LDMOS有哪些有优良性能？什么是VDMOS？VDMOS具有哪些特征？
2021-06-18 06:56
GaN为5G sub-6GHz大规模MIMO基站应用提供的优势LDMOS的优势是什么如何选择正确的晶体管技术
2021-03-09 07:52
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了
2019-06-26 07:33
摘要：提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化
2019-07-31 07:30
LDMOS （Lateral Diffused MetalOxide Semiconductor Transistor，横向扩散金属氧化物半导体）以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用
2017-10-13 10:59
LDMOS，全称为Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor（侧向双扩散金属氧化物半导体），是一种特殊类型的MOSFET（金属氧化物半导体
2024-08-23 14:03
通过对不同器件结构LDMOS的静电放电防护性能的分析对比，指出带埋层的深漏极注入双RESURF结构LDMOS器件在静电防护方面的优势。
2011-12-01 11:00
与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB
2011-12-01 11:21
