参数表节选:的技术参数 UC500-D1-3K-V7产品阐述 单头系统通用规格感应范围60 ... 550 mm死区0 ... 60 mm标准目标板100 mm x 100
2022-11-03 13:07 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
### 产品概述:2N7002K-T1-E3-VB2N7002K-T1-E3-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术,具有低功耗和高性能特性。它采用SOT23-3封装,适用于低功率
2024-07-11 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号
LEDLED 1:高位指示LED 4:低位指示绿色/黄色 LEDLED 2: 高位报警和正常工作LED 3: 正常工作和填充不足警告DIP 开关开关点/操作模式的
2022-04-07 15:03 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
型号:TN0200K-T1-E3-VB丝印:VB1240品牌:VBsemi参数:- 类型:N沟道- 最大耐压:20V- 最大电流:6A- 静态开启电阻 (RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V
2023-12-13 17:37 微碧半导体VBsemi 企业号
39.5 dBm GaN on SiC 功率放大器模块;3300-3800兆赫WS1A3640 是一款非对称 Doherty 功率放大器模块 (PAM),在采用先进散热技术的多层层压基板上集
2023-08-02 14:25 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
39.5 dBm GaN on SiC 功率放大器模块;3700-3980兆赫WS1A3940 是一款非对称 Doherty 功率放大器模块 (PAM),在采用先进散热技术的多层层压基板上集
2023-08-02 14:22 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
38.5 dBm GaN on SiC 功率放大器模块;2496-2690兆赫WS1A2639 是一款非对称 Doherty 功率放大器模块 (PAM),将 Wolfspeed GaN
2023-08-02 14:20 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
型号: TP0610K-T1-E3-VB丝印: VB264K品牌: VBsemi参数: P沟道, -60V, -0.5A, RDS(ON) 3000mΩ @ 10V,
2023-12-22 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号