控制，它非常适合于实现精确的微结构，然后可以用于无源光纤自对准。因其晶面蚀刻速率不同而产生的单晶硅各向异性湿法化学蚀刻是一种成熟且受欢迎的技术。1该技术已用于制造各种高精度无源微结构，然后用于固定光纤和引导光线。然而，由于大多数光学器件是由直接带隙化合物半导体材料如InGaAs和InP制成的
2022-05-11 15:04
光学带宽并不是整个电光转换系统的带宽瓶颈，而是光学集成度虽然越来越高，但电学才是真正让整体带宽受限的主要因素。
2022-09-26 09:52
InP 材料在力学方面具有软脆的特性，导致100 mm（4 英寸）InP 晶圆在化合物半导体工艺中有显著的形变和碎裂的风险；同时，InP 基化合物半导体光电子器件芯片大部分采用双面工艺，在晶圆的双面进行半导体工艺。
2023-06-27 11:29
例如设计音响产品时，有的工程师遇到低噪问题，往往是由于用单端输入接法。例如INN接信号，INP通过电容接GND。这个GND太过随意，就近接地，而这个地很可能是大电流的回路，而引入了噪音。正确接法应该是从A点拉线到INP端。一般都有输入电阻，建议将输入电阻直接靠近A
2018-10-04 10:37
今年ECOC，根特和IMEC提交了一个基于氮化硅波导与InP基UTC-PD异质集成的探测器，3dB带宽达到了155GHz
2022-09-29 09:34
单相接地保护的动作电流Inp（E），应按躲过保护区外（即TAN以前）发生单相接地故障时流过TAN的电动机本身及其配电电缆的电容电流k来整定。
2019-09-17 09:52
单面磷化铟晶片的制备方法主要包括以下步骤： 一、基本制备流程 研磨：采用研磨液对InP（磷化铟）晶片进行研磨。研磨液通常包含水、Al2O3（氧化铝）和悬浮剂，其中Al2O3的粒径通常在400
2024-12-11 09:50 广州万智光学技术有限公司 企业号
ADL5309 包含双单片对数跨阻放大器，针对测量光纤系统中的低频和宽动态范围光信号功率进行了优化。 该器件产生高精度、温度补偿输出电压，该输出电压与 INP1 和 INP2 引脚的输入电流
2025-05-09 09:43
碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。
2020-10-02 18:20
激光二极管在今天随处可见。它们是将电能转换为激光功率的最简单的元素。激光二极管是基于几种半导体组装材料（砷化镓、InP或其他更复杂的结构，如氮化镓）。
2023-12-21 09:55
