基于HC1的蚀刻剂被广泛应用于InP半导体器件，HC1溶液中其他酸的存在对蚀刻速率有显著影响，然而，InP并不溶在涉及简单氧化剂的传统蚀刻剂中，为了解决溶解机理的问题，我们江苏华林科纳研究了p-InP在不同HC1溶液
2022-02-09 10:54
我们华林科纳研究了三种化学溶液，用于在分布反馈激光器应用的InP外延生长之前清洗光栅。这些化学物质是浓缩的HMSO和n< SO，H2 2的混合溶液，其中n =β和
2022-05-12 13:42
高带宽实时示波器采用InP技术前端芯片组 安捷伦科技(AgilentTechnologies)日前宣布新一代高带宽示波器，该设备采用具有磷化铟(InP)技术的前端芯片组，可提供突破性的功
2009-12-31 08:59
安捷伦推出采用磷化铟InP技术前端芯片组 安捷伦科技公司日前宣布，推出采用磷化铟（InP）技术的前端芯片组，为下一代高带宽示波器带来了突破性的功能。新的芯
2009-12-19 08:54
控制，它非常适合于实现精确的微结构，然后可以用于无源光纤自对准。因其晶面蚀刻速率不同而产生的单晶硅各向异性湿法化学蚀刻是一种成熟且受欢迎的技术。1该技术已用于制造各种高精度无源微结构，然后用于固定光纤和引导光线。然而，由于大多数光学器件是由直接带隙化合物半导体材料如InGaAs和InP制成的
2022-05-11 15:04
近年来， InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）体积小、功耗低、响应速度快，被广泛应用于近红外单光子检测。
2023-06-09 09:34
近日，Coherent宣布已建立全球首个6英寸磷化铟（InP）晶圆生产线，借此扩大其在欧美地区的InP产能，并大幅降低激光器、探测器及电子产品等InP光电器件的芯片成本（Die Cost）。
2024-03-28 09:14
电子发烧友网报道（文/黄山明）磷化铟（InP）单晶衬底作为光通信、5G射频、量子计算等领域的核心材料，其市场发展与国内替代进程呈现出技术突破与国际竞争交织的复杂格局。全球市场正经历需求爆发期，而国内
2025-05-19 02:23
引言 本文将讨论在不同的湿化学溶液中浸泡后对InP表面的氧化物的去除。本文将讨论接收衬底的各种表面成分，并将有助于理解不同的外原位湿化学处理的影响。这项工作的重点将是酸性和碱性溶液。许多报告表明，硫
2022-01-12 16:27
光学带宽并不是整个电光转换系统的带宽瓶颈，而是光学集成度虽然越来越高，但电学才是真正让整体带宽受限的主要因素。
2022-09-26 09:52
