当发生电气过应力（EOS）或静电放电（ESD）中的任何一种时，可能会发生故障或最严重的损坏。
2021-05-25 06:01
近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。
2023-09-01 14:07
日前，英国Micro LED公司Plessey发布新闻稿称，宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光LED。
2019-12-07 10:15
据报道，德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。
2020-07-22 14:51
随着科技的不断发展，可见光InGaN（氮化铟镓）激光二极管作为一种先进的半导体发光器件，已逐渐成为激光技术领域的研究热点。
2023-10-20 09:08
III族氮化物半导体可用于固态照明、电源和射频设备的节能。
2023-12-28 09:15
为弥补显示领域长波长Micro-LED的不足，针对GaN基黄光Micro-LED的发光效率问题，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队提出了一套切实可行的器件设计方案，并对其器件物理机理进行了详细阐述。该成果被发表在应用物理及光学领域权威SCI期刊Applied Optics [Appl. Optics, 60(11), 3006-3012 (2021)]。 “阶梯阱”多量子阱结构先前已被多次报道，并且该量子阱结构有助于提高GaN基蓝、绿光LED器件的空穴注入效率和载流子波函数重叠率，从而使器件外量子效率得到提升。然
2021-05-12 11:52
Micro LED的发光效率会随着尺寸微缩而下降，从而导致检测与维修问题增多，这是Micro LED面临的关键技术难题之一。鉴于此，相关技术研究员尝试在外延片生产阶段提高Micro LED的效率。
2020-07-24 11:29
2020年，晶能光电推出8英寸硅衬底InGaN红光外延技术，目前仍在持续研发以提升InGaN红光光效；2021年9月，晶能光电成功制备像素点间距为25微米、像素密度为1000PPI的硅衬底InGaN红、绿、蓝三基色M
2023-02-21 10:53
将InGaN基激光器直接生长在硅衬底材料上，为GaN基光电子器件与硅基光电子器件的有机集成提供了可能。另一方面，自1996年问世以来，InGaN基激光器在二十多年里得到了快速的发展，其应用范围遍及
2021-10-08 18:10
