安捷伦科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，推出椭圆形辐射模式的穹形4 mm (T-1) 和5 mm (T-1 3/4)双孔直插超高亮度InGaN (氮化铟镓) LED
2018-08-28 16:02
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技 摘要：在硅 (Si) 上生长的直接带隙 III-V
2021-07-09 10:21
的实验也提供了一系列电子特性的信息。文献中已经有大量关于 III 族氮化物的光学特性的数据，这里我们将重点介绍一些最新的科学知识。近几十年来，关注这些材料的技术应用现状，重点是 GaN、InGaN
2021-07-08 13:08
1.3mm Height Subminiature,Axial Flat Top LED产品说明：ChipMaterial:InGaN/GaPEmitted Color:Blueλσ（nm
2008-09-28 17:59
1206 Package Chip LED with Lnner Lens 封装尺寸及参数说明产品说明：Chip Material:InGaN/SiC Emitted Color:Supper
2008-09-28 17:56
Chip LED with Right Angle Lens(1.7)产品说明：ChipMaterial:InGaN/SiCEmitted Color:Blueλσ（nm）:470Lens
2008-09-28 18:00
体系（GaN、InGaN和AlGaN）的激光器将半导体激光器的波长扩展到可见光谱和紫外光谱范围，如图1所示，在显示、照明、医疗、国防安全和金属加工等领域具有巨大的应用前景。 图1、GaN材料体系
2020-11-27 16:32
。这与这一领域的技术发展趋势是一致的。1998 年，一种InGaN/A1InGaN MQW 结构的紫外LED 芯片在美国Sandia 国家实验室由Mary H. Crawford 课题组研制出来。该
2016-01-07 09:56
的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED驱动芯片。 5AlGaInN/碳化硅(SiC)背面出光法： 美国
2018-08-31 20:15
的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN后，将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料.制造出上下电极结构的大尺寸蓝光芯片。⑤ AIGaInN碳化硅(sic)背面出光法。美国Cre。公司是采用sic衬底
2013-06-10 23:11
