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氮化镓（GaN）的混合物和氮化铟（酒店）形成的氮化铟镓（InGaN）已成为制造LED的比较流行的技术之一，特别是蓝色和绿色。虽然技术的历史可以追溯到上世纪90年代，大功率InGaN技术更近。
2017-06-13 14:25
luminous intensity is required. These lamps utilize the highly developed ultrabright InGaN technologies. The lens and the viewing angle is optimi
2011-03-29 10:05
当发生电气过应力（EOS）或静电放电（ESD）中的任何一种时，可能会发生故障或最严重的损坏。
2021-05-25 06:01
安捷伦科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，推出椭圆形辐射模式的穹形4 mm (T-1) 和5 mm (T-1 3/4)双孔直插超高亮度InGaN (氮化铟镓) LED
2018-08-28 16:02
近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。
2023-09-01 14:07
日前，英国Micro LED公司Plessey发布新闻稿称，宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光LED。
2019-12-07 10:15
据报道，德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。
2020-07-22 14:51
随着科技的不断发展，可见光InGaN（氮化铟镓）激光二极管作为一种先进的半导体发光器件，已逐渐成为激光技术领域的研究热点。
2023-10-20 09:08
III族氮化物半导体可用于固态照明、电源和射频设备的节能。
2023-12-28 09:15
为弥补显示领域长波长Micro-LED的不足，针对GaN基黄光Micro-LED的发光效率问题，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队提出了一套切实可行的器件设计方案，并对其器件物理机理进行了详细阐述。该成果被发表在应用物理及光学领域权威SCI期刊Applied Optics [Appl. Optics, 60(11), 3006-3012 (2021)]。 “阶梯阱”多量子阱结构先前已被多次报道，并且该量子阱结构有助于提高GaN基蓝、绿光LED器件的空穴注入效率和载流子波函数重叠率，从而使器件外量子效率得到提升。然
2021-05-12 11:52
