自从20年前第一批商用产品问世，GaN在射频功率应用领域已成为LDMOS和GaAs的重要竞争对手，并且，正在以更低的成本不断提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时
2019-05-09 10:25
模型，助力使用 SiC 和 GaN-on-SiC 进行系统设计和开发。工程师可通过该模型获取有关元件的准确详细信息，减少开发早期阶段出错的风险，同时还有助于优化电气和机械设计。
2023-05-24 10:44
镓(Ga)是一种化学元素，原子序数为31。镓在自然界中不存在游离态，而是锌和铝生产过程中的副产品。 GaN 化合物由镓原子和氮原子排列构成，最常见的是纤锌矿晶体结构。GaN-on-SiC在射频应用中
2017-11-22 10:41
和传感器，5G运行频率还需要新的材料，例如GaN-on-SiC（碳化硅上氮化镓）、GaN-on-Si（硅上氮化镓）、SiGe（锗硅，应用于低噪音放大器）以及GaAs（砷化镓，应用于功率放大器）。
2018-06-04 14:44
射频信号的成本和复杂性。能够帮助解决这些挑战的两个关键使能技术是碳化硅基氮化镓 （GaN-on-SiC） 功率放大器和大规模多输入多输出 （mMIMO） 天线。
2020-06-11 14:11
GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。
2021-11-17 09:06
本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售
2025-05-15 15:28
DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，提供非常高的测量精度和丰富的连接方式，是GaN 和 SiC 器件测试的理想探头。
2022-11-03 17:47
功率半导体”多被用于转换器及逆变器等电力转换器进行电力控制。目前，功率半导体材料正迎来材料更新换代，这些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均优于现在使用的Si（硅），作为“节能王牌”受到了电力公司、汽车厂商和电子厂商等的极大期待。
2013-03-07 14:43
基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。
2018-10-04 09:03
