(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一
2017-06-16 10:37
RFSW2100D是一种GaN-on-SiC大功率离散RF开关，设计用于军事和商业无线基础设施、工业/科学/医疗和通用宽带RF控制和交换应用。采用先进的高功率密度氮化镓（GaN）半导体工艺
2018-08-31 11:26
Qorvo的TGA2963-CP是宽带高功率MMIC放大器Qorvo的生产0.15um GaN-on-SiC工艺制造（qgan15），TGA2963-CP经营从6–18GHz和通常提供饱和输出功率
2018-10-31 08:00
(51, 51, 51) !important]隔离式栅极驱动器的要求已经开始变化，不同于以前的。对于SiC和GaN，宽栅极电压摆幅、快速上升/下降时间和超低传播延迟。ADuM4135隔离式栅极驱动器
2019-07-16 23:57
TriQuint公司的TGA2622是波段上TriQuint公司的生产0.25um GaN-on-SiC工艺制造高功率MMIC放大器。的TGA2622工作从9–10GHz和提供了优越的动力组合，增益
2018-08-13 11:28
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20
GAN的数学推导和案例应用
2020-04-13 09:34
客户了解如何从使用WBG中充分获益•可靠性和质量•为解决方案提供最好的WBG技术•解决供应链问题•成本路线图•环境二氧化碳影响/ ESG
2023-06-16 10:41
图像生成对抗生成网络ganHello there! This is my story of making a GAN that would generate images of cars
2021-08-31 06:48
与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益，可帮助减小磁性元件
2022-11-04 06:18
