扬杰科技最新推出N80V-N85V系列MOSFET产品，采用先进的SGT （Shield Gate Trench MOSFET） 制程工艺，针对电机驱动、BMS等应用设计，优化BVdss、Rdson、Qg等参数性能同时，提升MOSFET抗冲击电流能力。
2022-04-08 15:01
3N261 3N263电压波形电路图
2009-07-01 10:49
3N261 3N263光耦器电路图
2009-07-01 10:49
6n3+6n6耳机放大器,6n3+6n6 Headphone Amplifier 关键字：电子管耳机放大器,耳放,耳放电路,耳机放大器电路,耳机放大器制作,HIFI
2018-09-20 19:01
STx6N62K3/STx3N62K3利用SuperMESH3技术降低导通电阻,提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效 功率半导体世界领先厂商意法半导体进一
2008-09-25 08:03
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32
合科泰HKT系列产品推出新品N沟道增强型MOSFET，采用SGT屏蔽栅技术，其中HKTS80N06采用新款TOLL4封装优化散热，产品均符合RoHS环保标准，以低导通电阻和高电流承载，可适配封闭环境应用，如储能电池包BMS和车载OBC应用。
2025-08-12 16:54
SGD-80-3拉绳位移传感器一般安装在气缸内部或者外置安装跟踪活塞位置。这样被注射液体的注射剂量可以实时的被监控，并回馈到控制系统，从而实时调整气缸、电机或者注射泵的动作。下图为SGD-80-3拉绳位移传感器的控制注射系统：
2023-05-06 17:56 广州工控传感科技有限公司 企业号
MOS管通常在电子电路中作为电子开关，通过控制栅极电压来开启或关闭电流的流动，它具有开关速度快噪声低、功耗小等优点。本文给大家推荐一款在国内生产的N沟道MOS管HKTD80N06，它在电机驱动、逆变器、BMS等产品上具有广泛应用。
2024-08-01 11:17
的要求。合科泰 HKTS80N06 N 沟道 MOSFET，以高耐压、抗雪崩、低损耗特性，为储能系统构建全链路安全屏障。
2025-08-12 16:52
