**FQP13N06L-VB 详细参数说明：**- **品牌：** VBsemi- **型号：** FQP13N06L-VB- **丝印：** VBM1680- **封装：** TO220-
2024-02-20 09:57 微碧半导体VBsemi 企业号
**FQP10N60CF-VB 产品参数说明：**- **品牌：** VBsemi- **型号：** FQP10N60CF-VB- **丝印：** VBM165R18- **封装：** TO220-
2024-02-19 13:54 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：FQP70N10-VB丝印：VBM1102N品牌：VBsemi参数：- 封装：TO220- 沟道类型：N—Channel- 额定电压：100V- 最大电流：70A- 开态电阻：RDS
2023-12-29 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
**详细参数说明:**- **型号：** FQP13N10-VB- **丝印：** VBM1101M- **品牌：** VBsemi- **封装：** TO220- **沟道类型
2024-02-19 15:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品详细参数说明- **型号：** FQP20N06L-VB- **丝印：** VBM1638- **品牌：** VBsemi- **封装：** TO220#### 参数：- **沟道类型
2024-01-03 11:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、3N80L-TA3-T-VB 产品简介3N80L-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该产品具有850V的漏源极电压（VDS），30V的栅源极电压（VGS
2024-11-07 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: FQP30N06L-VB丝印: VBM1638品牌: VBsemi封装: TO-220沟道类型: N—Channel最大电压(VDS): 60V最大电流(ID): 50A导通电阻(RDS
2024-01-02 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介3N80L-TM3-T-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO251封装。该器件具有800V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于要求
2024-11-07 16:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介3N80L-TN3-R-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。具有800V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于高电压的功率管理和开关应用。采用
2024-11-07 16:45 微碧半导体VBsemi 企业号
