村田制作所在“CEATEC JAPAN 2012”上展示了组合使用色素增感型太阳能电池和多种传感器的传感器网络系统。关于该系统中的色素增感型太阳能电池，村田制作所正以2013～2014年前后实现实
2012-10-09 08:55
当前，碳化硅基功率器件面临着严峻的挑战，现有的碳化硅基肖特基二极管，MOSFET等器件并不能有效地满足实际应用需要，对IGBT器件的需求日益迫切，必须突破碳化硅基IGBT研究中的瓶颈问题，增加器件耐压强度，提高沟道迁移率。针对这些核心技术难题，中国科学院半导体研究所的研究团队从决定碳化硅基IGBT载流子迁移率的最基本科学规律入手，揭示载流子输运机理、能带结构对准，生长出高质量碳化硅厚膜外延材料和低界面态栅介质层材料，研究与调控材料界面和表面，最终研制出具有高载流子迁移率和高阻断电压的碳化硅 IGBT器件。
2020-01-23 17:05
尽管硅是世界上最知名和最广泛使用的半导体，但它的电子迁移率却处于中低范围（~1,000 cm2/(V·s)）。相比之下，化合物半导体材料具有极高的电子迁移率——InSb 的电子迁移率高达 80,000 cm2/(V·s)。石墨烯的迁移率有可能达到超过 100,00
2023-07-06 10:05
汽车轮胎充气泵方案的设计是使用LCD屏显示，其测量和设置则是同屏显示；测量单位为四个，分别为PSI、KPA、 Bar、 Kg/cm2，可以循环切换顺序；测量范围值在3 ~ 150PSI; 2 ~ 1030KPA;2
2023-02-02 12:09
早先对于晶圆表面金属的浓度检测需求为1010atoms/cm2，随着工艺演进，侦测极限已降至108 atoms/cm2，可以满足此分析需求的技术以全反射式荧光光谱仪(Total Reflection X-ray Fluorescence, TXRF)与感应耦合电浆
2023-05-24 14:55
euv光刻系统从2014年第一季度到2019年第四季度，nxe:3400c在客户端使用30 mj/cm2的电力，达到了约140芯片/小时的生产效率。nxe:3600d在现场的功率为30mj/cm2，略高于160 wph，在asml测试中达到185 wph。nxe:
2023-07-31 10:07
英国萨里大学与伦敦玛丽王后大学的研究团队制作低成本碳基电催化剂，该产品可被用于阴离子交换膜燃料电池，该款催化剂有助于将燃料电池的能量密度提升至703mW／cm2。相较之下，该领域早前的能量密度仅为50 mW／cm2。
2017-12-27 10:23
激光焊接可以采用连续或脉冲激光束加以实现，激光焊接的原理可分为热传导型焊接和激光深熔焊接。功率密度小于104~105 W/cm2为热传导焊，此时熔深浅、焊接速度慢；功率密度大于105~107 W/cm2时，金属表面受热作用下凹成“孔穴”，形成深熔焊，具有焊接速度快
2023-02-15 10:54
激光焊接可以采用连续或脉冲激光束加以实现，激光焊接的原理可分为热传导型焊接和激光深熔焊接。功率密度小于104~105 W/cm2为热传导焊，此时熔深浅、焊接速度慢；功率密度大于105~107 W/cm2时，金属表面受热作用下凹成“孔穴”，形成深熔焊，具有焊接速度快
2019-06-05 15:48
在所有固态锂金属电池中，要获得可观的面积容量（>3 mAh/cm2）和延长循环寿命，就需要实现能够承受临界电流密度和容量升高的固态电解质（SSEs）。
2023-11-09 11:13
