尽管硅是世界上最知名和最广泛使用的半导体，但它的电子迁移率却处于中低范围（~1,000 cm2/(V·s)）。相比之下，化合物半导体材料具有极高的电子迁移率——InSb 的电子迁移率高达 80,000 cm2/(V·s)。石墨烯的迁移率有可能达到超过 100,00
2023-07-06 10:05
早先对于晶圆表面金属的浓度检测需求为1010atoms/cm2，随着工艺演进，侦测极限已降至108 atoms/cm2，可以满足此分析需求的技术以全反射式荧光光谱仪(Total Reflection X-ray Fluorescence, TXRF)与感应耦合电浆
2023-05-24 14:55
激光焊接可以采用连续或脉冲激光束加以实现，激光焊接的原理可分为热传导型焊接和激光深熔焊接。功率密度小于104~105 W/cm2为热传导焊，此时熔深浅、焊接速度慢；功率密度大于105~107 W/cm2时，金属表面受热作用下凹成“孔穴”，形成深熔焊，具有焊接速度快
2019-06-05 15:48
功率密度达O．01～1W，／cm2时，可使工作在相应频段上的雷达和通讯设备受到干扰，不能正常工作；当功率密度达 O．01～1 W／cm2时，可使雷达、通信、导航等设备的微波器件性能降低或失效。
2017-12-11 03:55
近日，由深圳大学和深圳信息职业技术学院组成的科研团队，研发出了“基于全HVPE生长、具有创纪录的高品质优值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基势垒二极管“，并以“Vertical GaN
2023-06-13 14:10
基于InP基多层异质InGaAs探测材料体系，采用分子束外延技术开展了大面积均匀、低掺杂浓度吸收层InGaAs外延材料。所生长的In0.53Ga0.47As外延材料本底电子浓度约1E15 cm-3，室温迁移率大于10000 cm2/Vs。
2020-06-24 09:50
LTC3588-1 是一款完整的能量收集解决方案，为包括压电换能器在内的低能量电源而优化。压电器件通过器件的挤压或挠曲产生能量。视尺寸和构造的不同而不同，这些压电元件可以产生数百 uW/cm2 的能量。
2012-12-21 10:50
令一次绕组 的有效值 电压为 U1，一次绕组的匝数为NP， 所选磁心的交流磁通密度为BAC，磁通量为Φ，开关周期为T，开关频率为f,一次侧电流的波形系数为Kf，磁心有效截面积为Ae ( 单位是cm2)，有关系式
2019-01-17 15:19
微流体芯片采用光敏树脂SU-8 3005和3025作为硅片上的光刻材料，可以制造出宽6-10微米，高8-10微米的压缩区通道，以及宽30-40微米，高20-30微米的舒张区。首先在清洁的硅片上添加SU-83025作为第一层，使用能量为300mJ/cm2的紫外光固化。
2018-12-31 14:32
2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和国防雷达范畴，在所有 RF 细分市场中
2022-09-19 09:33
