programming once at shipment. According to this graph and calculation by Arrhenius equation,the data
2018-08-20 08:10
。125C 下 1000hrs 或 150C 下 300hrs 的典型生命周期测试持续时间可在室温下确保至少 10 年的产品生命周期（不计算静态自身发热条件）。持续时间通过 Arrhenius 公式计算
2018-09-17 16:32
搜索相关资料，得知处理器的老化并不会影响计算规格和速度，那么它主要的退化指标（方便监测的）是什么呢？或者故障前会有哪些征兆？求大神解答~
2015-04-03 09:16
你知道么，LT1461 和 LT1790 微功率低压降带隙电压基准的过人之处不仅在于温度系数 (TC) 和准确度，还在于长期漂移和迟滞（因为温度的周期性变化而引起的输出电压漂移）。有时被其他制造商所忽视或错误规定的长期漂移和迟滞能成为系统准确度的限制。系统校准虽然能夠消除 TC 和初始准确度误差，但只有频繁的校准才能消除长期漂移和迟滞。亚表齐纳基准 (如 LT1236 ) 具有最好的长期漂移和迟滞特性，但它们不像这些新型带隙基准那样能夠提供低输出电压选项、低电源电流和低压工作电源。
2019-08-02 06:36
本文采用恒定温度应力加速寿命试验对功率VDMOS的可靠性进行了研究，得到较为完整的可靠性数据，并分析得到引起其漏源电流IDS退化的主要失效机理是栅极击穿，从而为功率VDMOS类型器件的加工制造及应用等方面提供有价值的数据。
2021-04-14 06:37
