基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性 0 引言 垂直导电双扩散场（VDMOS）效应晶体管是新一代集成化半导体电力器件的代表［1］。与功
2009-11-07 10:39
在了解温度升高的影响时，系统预期寿命随着温度的升高呈指数级下降。这种降解的程度通常由Arrhenius方程（下图）控制，该方程描述了组件年龄如何随着温度的升高而加速。
2022-10-27 14:15
本文主要研究了铝电解电容的内部结构与老化失效机理，分析环境温度与纹波电流对其使用寿命的影响，分析基于阿氏（Arrhenius）模型的寿命预测模型，依据电容工作情况评估其剩余使用寿命，有助于延长铝电解电容的使用寿命及寿期管理。
2019-09-12 09:34
Arrhenius，阿伦尼乌斯，提出了一个表征芯片使用寿命的计算模型，即阿伦尼乌斯寿命模型。透过验证晶体管在特定偏置电压和温度下的工作时长(HTOL)，来折算出芯片的使用寿命。通过在汽车行业的统计观察，阿伦尼乌斯寿命模型得到半导体行业的普遍认可。
2025-05-19 09:34
以上数据来自实验室的高温工作寿命测试（HTOL）。加速度系数可以通过使用Arrhenius公式来测量，该公式基于应用的预期平均工作温度与HTOL测试期间使用的温度。HTOL 测试的典型条件是在
2023-06-28 17:06
论文和应用报告里，Lawson模型还是非常常用的的，尤其是评估有源元器件的潮湿加速动作。##在我们的前期工作总发现与时间有关的Arrhenius函数是重大成果，基于这个成果我们开发出了下面的通用模型。##吸附的影响。
2015-03-03 09:32
程度有一个准确的估算。我们今天就为大家分享一个快速而准确的计算方法。 问 如何根据薄膜的运行时间，来计算或估算最坏情形下薄膜电阻值的飘移变化？ 可以使用阿伦尼乌斯方程（Arrhenius equation）来估算电阻器的漂移（老化）。例
2021-08-16 10:42
Arrhenius 公式计算，这是一个简单而非常精确的计算公式，用于描述给定过程的反应速度常数对温度的依赖性： 过程速率 (PR) = Ae-(Ea/kT) Arrhenius 公式 这就引出了加速系数 (AF) 概念，即两
2021-11-23 14:19
(Arrhenius Equation)，该方程描述了化学反应速率随温度变化的关系。电容寿命的计算方法为：Lx=L0(或LR)×KT×KR1(或KR2)×Kv 其中： L 是在实际工作温度T下的电容寿命(单位：小时)。 L0 是在额定温度T0下的电容额定寿命(单位：小时，比如规格书上的2000H、3000H、
2025-02-26 14:13
过程）的参数偏移进行量化。 125C 下 1000hrs 或 150C 下 300hrs 的典型生命周期测试持续时间可在室温下确保至少 10 年的产品生命周期（不计算静态自身发热条件）。持续时间通过 Arrhenius 公式计算，这是一个简单而非常精确的计算公式，
2018-03-30 09:38
