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  • 基于WSe₂结构上存在的负磁阻现象

    WSe₂属于TMD家族,具有层依赖性带隙,从1.2 eV(块体)到1.65 eV(单分子层)不等。单分子层WSe₂作为一种极具发展前景的二维半导体,因其独特的物理特性和在电子学、光电子学和自旋电子学等方面的潜在应用而备受关注。

    2022-10-18 11:53

  • 硅的潜在设计——MoS 2或 WSe 2沟道

    台积电的几个不同小组一直在从不同角度研究WSe2传导和掺杂。一组使用氧等离子体将WSe2半导体单层转化为Ox。该过程是自限性的,不影响底层的WSe2材料,最终的掺杂水平取决于起始材料中的层间耦合。

    2023-02-23 10:02

  • Cerebras Systems展示了 AI 芯片 WSE

    据了解,半导体厂商 Cerebras Systems 在去年 8 月份展示了一款世界上最大的芯片——WSE(Wafer Scale Engine),该芯片目前被 Cerabras 用来和美国能源部合作生产 “CS-1”AI 服务器系统。

    2020-07-09 10:25

  • Cerebras推出性能翻倍的WSE-3 AI芯片

    Cerebras Systems近日推出的Wafer Scale Engine 3(WSE-3)芯片无疑在人工智能领域掀起了一场革命。这款芯片不仅刷新了现有最快AI芯片的性能纪录,更以其强大的计算能力和创新的设计为整个行业树立了新的标杆。

    2024-03-20 11:32

  • 基于Si NCs和2D WSe2混合结构的突触器件

    作为即将到来的“超越摩尔”时代最重要的技术之一,神经形态计算在很大程度上取决于突触器件的发展。本文利用硼(B)掺杂硅纳米晶体(Si NCs)的强宽带光吸收和二维(2D)WSe2的高效电荷传输的协同作用,制备了基于Si NCs和2D WSe2混合结构的突触器件。

    2022-11-02 15:10

  • AI芯片界掀起狂潮,WSE-3性能飙升刷新纪录!

    WSE-3采用了4万亿晶体管的5纳米工艺制程,工艺水平达到了惊人的高度。

    2024-03-15 16:08

  • Cerebras推WSE-3芯片,性能翻倍,助力超大规模AI模型训练

    首先,WSE-3采用台积电最新的5nm工艺制作(目前领先业界)。其次,该芯片拥有超过4万亿个晶体管以及90万个AI核心,配合44GB片上SRAM高速缓存及三种可选片外存储方案(分别是1.5TB、12TB与1.2PB)。

    2024-03-14 10:01

  • Cerebras推出WSE-3 AI芯片,比NVIDIA H100大56倍

    Cerebras 是一家位于美国加利福尼亚州的初创公司,2019 年进入硬件市场,其首款超大人工智能芯片名为 Wafer Scale Engine (WSE) ,尺寸为 8 英寸 x 8 英寸,比最大的 GPU 大 56 倍,

    2024-03-14 17:11

  • 基于单层MoSe2-WSe2异质结器件

    近几十年来,硅芯片的尺寸一直在不断减小,正接近其物理极限。电子产业一直面临着寻找具有本征半导体特性的纳米材料的艰巨挑战。

    2022-10-19 16:03

  • 上海光机所在单层WSe2光学双稳态研究方面取得进展

    图1 光学双稳态实现方案 近期,中国科学院上海光学精密机械研究所空天激光技术与系统部王俊研究员团队,在单层WSe2光学双稳态研究方面取得进展,相关成果以“Optical bistability

    2025-07-14 11:24