WSe₂属于TMD家族，具有层依赖性带隙，从1.2 eV(块体)到1.65 eV(单分子层)不等。单分子层WSe₂作为一种极具发展前景的二维半导体，因其独特的物理特性和在电子学、光电子学和自旋电子学等方面的潜在应用而备受关注。
2022-10-18 11:53
作为即将到来的“超越摩尔”时代最重要的技术之一，神经形态计算在很大程度上取决于突触器件的发展。本文利用硼（B）掺杂硅纳米晶体（Si NCs）的强宽带光吸收和二维（2D）WSe2的高效电荷传输的协同作用，制备了基于Si NCs和2D WSe2混合结构的突触器件。
2022-11-02 15:10
近几十年来，硅芯片的尺寸一直在不断减小，正接近其物理极限。电子产业一直面临着寻找具有本征半导体特性的纳米材料的艰巨挑战。
2022-10-19 16:03
芯片是我国核心科技的“卡脖子”难题，随着芯片尺寸的逐渐降低，对材料科学和热科学等领域都提出了新的挑战。
2022-10-17 15:39
CMOS技术是无数现代电子产品、仪器和计算工具的大脑。60多年来，CMOS技术在性能、能效和单位功能成本方面持续增长，这得益于遵循摩尔定律的硅基MOSFET的不断扩展。虽然仍在全力以赴，但硅基CMOS已开始显示出未来技术节点出现问题的早期迹象。前面有两个主要的技术障碍：1)对于亚10 nm节点，必须积极减小沟道厚度以保持栅极静电，从而保持理想的器件性能。硅和其他块材半导体由于有害的量子限制效应和沟道-电介质界面处电荷载流子的散射增加而容易受到厚度缩放的影响，从而导致迁移率严重下降。2)算术核心或逻辑单元与数据存储或内存单元的物理分离，这是冯诺依曼架构所要求的，限制了CMOS处理器在计算和数据密集型应用中的能效。第一个问题的解决方案是超薄通道材料的创新。第二个问题的解决方案是非冯诺依曼架构，其中消除了逻辑和
2022-08-02 11:17
